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J-GLOBAL ID：202102274950091722   整理番号：21A0150003

負性容量電界効果トランジスタにおける低ドレイン電流範囲内の急峻なサブ閾値スイングの起源【JST・京大機械翻訳】

Origin of Steep Subthreshold Swing Within the Low Drain Current Range in Negative Capacitance Field Effect Transistor

著者 (6件)： Su Chang (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,CHINA,100871) ,  Huang Qianqian (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,CHINA,100871) ,  Yang Mengxuan (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,CHINA,100871) ,  Chen Liang (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,CHINA,100871) ,  Liang Zhongxin (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,CHINA,100871) ,  Huang Ru (Key Laboratory of Microelectronic Devices and Circuits (MOE), Institute of Microelectronics, Peking University,Beijing,CHINA,100871)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負容量FET(NCFET)は,供給電圧V_DDの低減のために,従来のMOSFETよりも急峻なサブ閾値スイング(SS)を達成することができ,一方,多くの実験結果は,NCFETが,限られたドレイン電流範囲内でのみ急峻なSSを示すことを示した。本研究では,強誘電性(FE)のドメインスイッチング動力学のモデリングに基づいて,NCFETにおける急峻なSSに対応するドレイン電流範囲の物理的起源とパラメータの影響を調べた。より大きな残留分極は,より大きなドレイン電流範囲を有するより急峻なSSに有益であることが分かった。さらに,シミュレーション結果は,掃引速度とFEスイッチング時間の限られた窓内でのみ,ドレイン電流範囲がNCFETの急峻なスイッチングのために拡大できることを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  FET【トランジスタ】 ,  MOSFET ,  *強誘電性 ,  残留分極
準シソーラス用語： *ドレイン電流 ,  供給電圧 ,  ドメインスイッチング ,  *ネガティブキャパシタンス ,  掃引速度 ,  *サブ閾値スイング ,  スイッチング時間 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 負性容量 ,  電界効果トランジスタ ,  ドレイン電流 ,  サブ閾値スイング ,  起源