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J-GLOBAL ID：202102275392213709   整理番号：21A0150004

単層二硫化モリブデンに基づくゲート調節可能メモリトランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Gate Tunable Memtransistor based on Monolayer Molybdenum Disulfide

著者 (8件)： Yan Meng (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology,Tianjin,China,300384) ,  Wang Fang (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology,Tianjin,China,300384) ,  Shen Jiaqiang (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology,Tianjin,China,300384) ,  Di Xichao (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology,Tianjin,China,300384) ,  Lin Xin (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology,Tianjin,China,300384) ,  Di Huanhuan (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology,Tianjin,China,300384) ,  Mi Wei (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology,Tianjin,China,300384) ,  Zhang Kailiang (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communication Devices, School of Electrical & Electronic Engineering, Tianjin University of Technology,Tianjin,China,300384)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： CSTIC  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料の典型的な代表として,最近Mos2は,その超薄厚さと特別な性質のため,電子シナプスデバイスの開発の候補と考えられている。しかし,二重末端人工シナプスデバイスは,同時にシナプス重量を更新し,読むための2端子デバイスにとって難しい,生物学的シナプスのシミュレーションに関する課題を残す。本研究では,Mos_2膜を化学蒸着により成長させ(試料の最大単一三角形サイズは約83μm),Si/SiO_2基板上のバックゲートFETに基づく3端子シナプスデバイスを作製した。MoS_2試料の形態およびデバイスの構造を,Raman分光法および光学顕微鏡(OM)によって特性評価した。メモリスタは,優れた抵抗スイッチング(RS)挙動を示す。パルスを最適化することにより,メムトランジスタは,より良い導電性線形性を示し,典型的なシナプス特性は,短期/長期可塑性(STP/LTP),興奮性シナプス後電流(EPSC)/抑制性シナプス後電流(IPSC)および対パルス促進(PPF)のような模倣であった。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  最適化 ,  *トランジスタ ,  光学顕微鏡 ,  シナプス ,  パルス ,  二次元 ,  化学蒸着 ,  単一層 ,  Raman分光法 ,  導電性
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  バックゲート ,  抵抗スイッチング ,  メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単層 ,  硫化モリブデン ,  ゲート ,  調節可能 ,  トランジスタ