文献

J-GLOBAL ID：202102275562926493   整理番号：21A1747538

2DEGチャネルとパターン形成基板を持つ新規GaNナノピラー垂直電界効果トランジスタ(FET)のBaliga指数-Of-Merits(BFOM)増強について【JST・京大機械翻訳】

On the Baliga’s Figure-Of-Merits (BFOM) Enhancement of a Novel GaN Nano-Pillar Vertical Field Effect Transistor (FET) with 2DEG Channel and Patterned Substrate

著者 (5件)： Wang Zeheng (School of Information and Software Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Wang Zirui (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhenwei (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Yang Di (School of Electronic Science and Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China) ,  Yao Yuanzhe (School of Information and Software Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, People’s Republic of China)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 14  号： 1  ページ： 1-10  発行年： 2019年 
JST資料番号： U8336A  ISSN： 1556-276X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,絶縁破壊電圧(BV)を高めるためのオン状態抵抗(RON)と基板パターン(SP)を低減するための2DEGによる新しい増強モード垂直GaN電界効果トランジスタ(FET)を提案した。SPの幅と高さを意図的に設計することによって,p-GaNキャップ下の高濃縮電場(E場)をRONに劇的な影響を与えることなく分離でき,強化されたBaligaの図式-Of-Mriits(BFOM,BV2/RON)を切り出すことができた。”p-GaN キャップ下の高濃縮電場(E-場)は,RONに劇的な影響を与えることなく分離できた。”Baliga’s Figure-Of-Meits(BFOM,BV2/RON)。実験的に較正したATLASシミュレーションで検証して,700nm長と4.6μm幅のSPを有する提案デバイスは,パターン化基板のないFETと比較して,6倍高いBFOMを示した。さらに,提案したピラーデバイスとSPはナノスケール面積を占有し,このようなデバイスの高密度集積を可能にし,将来の電力応用における高いポテンシャルを与える。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電場 ,  *FET【トランジスタ】 ,  電力応用 ,  *窒化ガリウム ,  チャネル ,  *二次元電子ガス ,  *パターン形成
準シソーラス用語： *ナノピラー ,  ナノスケール ,  絶縁破壊電圧 ,  高密度 ,  オン状態 ,  ATLAS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (35件)：

• Adv Electron Mater; ZnO nanofiber thin-film transistors with low-operating voltages; F Wang, L Song, H Zhang; 4; 2018; 1700336; 10.1002/aelm.201700336; citation_id=CR1
• Nano Res; High-performance enhancement-mode thin-film transistors based on Mg-doped In2O3nanofiber networks; H Zhang, Y Meng, L Song; 11; 2018; 1227-1237; 10.1007/s12274-017-1735-8; citation_id=CR2
• Adv Electron Mater; Modulating electrical performances of In2O3 nanofiber channel thin film transistors via Sr doping; L Song, L Luo, X Li; 5; 2019; 1800707; 10.1002/aelm.201800707; citation_id=CR3
• IEEE Electron Device Lett; Low ON-resistance SiC trench/planar MOSFET with reduced OFF-state oxide field and low gate charges; J Wei, M Zhang, H Jiang; 37; 2016; 1458-1461; 10.1109/LED.2016.2609599; citation_id=CR4
• IEEE Trans Electron Devices; An analytical investigation on the charge distribution and gate control in the normally-off GaN double-channel MOS-HEMT; J Wei, M Zhang, B Li; 65; 2018; 2757-2764; 10.1109/TED.2018.2831246; citation_id=CR5

タイトルに関連する用語 (10件)： 2DEG ,  チャネル ,  パターン形成 ,  GaN ,  ナノピラー ,  垂直 ,  電界効果トランジスタ ,  FET ,  指数 ,  増強