文献

J-GLOBAL ID：202102275624536484   整理番号：21A1428519

SiCパワー半導体デバイスの焼結銀実装による低熱抵抗化に関する一検討

A Study on Thermal Resistance Reduction by Ag-sintered Die Attach for SiC Power Semiconductor Devices

著者 (4件)： 高橋将太 (大阪大) ,  杉原英治 (大阪大) ,  福永崇平 (京大) ,  舟木剛 (大阪大)
資料名： 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)  (Annual Meeting Record, I.E.E. Japan (CD-ROM))
巻： 2021  ページ： ROMBUNNO.4-007  発行年： 2021年03月01日 
JST資料番号： S0653B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・パワー半導体デバイスのダイボンド材料として,銀ナノ粒子に着目し,SiC-SBDを銅基板へ実装する際の実装条件(加圧力,加熱条件)が接合強度に与える影響について検討。
・実装したSiC-SBDの過渡熱抵抗を評価し,従来のはんだと比較した焼結銀接合の熱抵抗の低減効果を評価。
・作製したはんだ実装と加圧焼結実装の供試体について,チップ基板までの合計熱抵抗について比較し,はんだ,加圧焼結接合(開始温度200°C)の場合でそれぞれ3サンプルずつ合計6つの供試体を作製。
・パワー半導体デバイスの接合材料として焼結銀に着目し,SiCチップのリードフレームへのダイアタッチにおいて,はんだと同程度の接合強度を得るための実装条件について検討。
・過渡熱抵抗測定から,はんだ接合と比べて,チップから基板までの合計熱抵抗を約32%低減できることを確認。

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,  *半導体素子 ,  *実装 ,  ナノ粒子 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  炭化ケイ素 ,  基板 ,  付着強さ ,  *熱抵抗 ,  加圧焼結 ,  はんだ ,  *ダイボンディング
準シソーラス用語： *SBD【ダイオード】 ,  *SiCパワーデバイス ,  *ダイアタッチ ,  *パワー半導体 ,  *過渡熱抵抗 ,  銀ナノ粒子 ,  *焼結銀実装 ,  接合強度 ,  銅基板 ,  *半導体デバイス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (3件)：

• 菅沼克昭,”SiC/GaN パワー半導体の実装と信頼性評価技術”,日刊工業新聞社,2014
• A.S.Helle,K.E.Easterling and M.F.Ashby”Hot-Isostatic Pressing Diagrams”,Acta Metallurgia,vol.33,2163-2174,1985
• JEDEC,JESD51-14,2010

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  パワー半導体 ,  焼結 ,  銀 ,  実装 ,  熱抵抗