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J-GLOBAL ID：202102276390659222   整理番号：21A1264074

高品質InAs/AlAs/InAsSb超格子に基づく中波長赤外光検出器のMBE成長【JST・京大機械翻訳】

MBE growth of mid-wavelength infrared photodetectors based on high quality InAs/AlAs/InAsSb superlattice

著者 (21件)： Jiang Jun-Kai (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Li Yong (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Chang Fa-Ran (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Cui Su-Ning (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Chen Wei-Qiang (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Jiang Dong-Wei (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Jiang Dong-Wei (College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 101408, China) ,  Jiang Dong-Wei (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Guo-Wei (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Wang Guo-Wei (College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 101408, China) ,  Wang Guo-Wei (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Xu Ying-Qiang (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Xu Ying-Qiang (College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 101408, China) ,  Xu Ying-Qiang (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Niu Zhi-Chuan (State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Niu Zhi-Chuan (College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 101408, China) ,  Niu Zhi-Chuan (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Niu Zhi-Chuan (Beijing Academy of Quantum Information Sciences, Beijing 100193, China) ,  Che Ren-chao (Laboratory of Advanced Materials, Department of Materials Science, Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials, Fudan University, Shanghai 200438, PR China) ,  Zhang Chuan-jie (Wuhan Guide Infrared Co., Ltd., Wuhan 430205, China) ,  Huang Li (Wuhan Guide Infrared Co., Ltd., Wuhan 430205, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 564  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長い少数キャリア寿命を有するInAs/InAsSbタイプII超格子(T2SLs)はInAs/GaSb T2SLsの有望な候補である。本研究では,InAs層中にAlAs層を挿入してInAs/AlAs/InAsSb SLを作製し,5.1μmカットオフ波長の中波長赤外検出に適用した。InAsSb層のSb成分を確認するために,MBEによりGaSb基板上にInAs/InAsSb SLを成長させた。一方,Sb成分対成長温度およびSb/As BEPフラックス比を,実験において調査した。その後,5.6/2.2/5.6/8ML InAs/AlAs/InAsSb SLsを,AlAsの成長比に影響されるGaSb上に成長させた。実験データは,InAs層に挿入されたAlAs層が,AFMによって特性化されたRMS1.7Åの高品質層ごとの成長に対して,0.3ML/s付近の狭い成長速度窓を有することを示した。次に,最適成長温度は,最小1.7ÅのRMS減少と,ほとんど明確な転位形態で,Tcとして見つかる。透過Electron顕微鏡は,超格子の微細構造を特性評価するための必要な方法である。HRTEMによって特性化されるサンプルによって,周期がInAsSb層を表す暗層を有する4つの層およびInAs-AlAs-InAs中間層構造に対して定在する3つの明るい層を含み,界面も明らかに示すことを実証した。最後に,SLsエピタキシーの品質をHRXRD,InAsとAlAs層の界面を変えて研究した。中間生成物InAlAsは除去され,FWHMsは3秒のAs浸漬界面法で30~40arcsecに低下した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *超格子 ,  赤外検出器 ,  *赤外線 ,  *アンチモン ,  *ヒ素 ,  *波長 ,  *ヒ化インジウム ,  反応中間体 ,  アンチモン化ガリウム ,  *ヒ化アルミニウム ,  *MBE成長 ,  成長速度 ,  HRTEM ,  *高品質

著者キーワード (4件)： 赤外検出器 ,  超格子成長 ,  分子ビームエピタクシー ,  InAs/AlAs/InAsSb

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高品質 ,  InAs ,  AlAs ,  InAsSb ,  超格子 ,  波長 ,  赤外光 ,  検出器 ,  MBE成長