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J-GLOBAL ID：202102276684457769   整理番号：21A0697652

自立基板上GaNのステップバンチング状モフォロジー形成プロセス

The process of the step bunching like morphology of GaN grown on free-standing substrate

著者 (12件)： 渡邉浩崇 (名大 未来材料・システム研) ,  新田州吾 (名大 未来材料・システム研) ,  安藤悠人 (名大 院) ,  出来真斗 (名大 院) ,  出来真斗 (名大 VBL) ,  田中敦之 (名大 未来材料・システム研) ,  田中敦之 (物質・材料研究機構) ,  本田善央 (名大 未来材料・システム研) ,  天野浩 (名大 未来材料・システム研) ,  天野浩 (名大 VBL) ,  天野浩 (物質・材料研究機構) ,  天野浩 (名大 赤崎記念研究セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11p-Z02-15  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： GaNは高い絶縁破壊電界および電子飽和速度を有することから、パワーデバイス材料として期待されている。我々はこれまでに自立GaN基板上にMOVPE成長したp-n接合ダイオードについて、エミッション顕微鏡を用いてアバランシェ降伏時の発光像が結晶...【本文一部表示】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  絶縁破壊 ,  電場 ,  発光 ,  半導体 ,  結晶方位 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  *モルフォロジー
準シソーラス用語： ヒロック ,  *ステップバンチング ,  再成長 ,  表面形態 ,  パワーデバイス ,  エピタキシャル膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自立 ,  GaN ,  ステップバンチング ,  モフォロジー ,  形成プロセス