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J-GLOBAL ID：202102276921303162   整理番号：21A0151636

新規トランジスタ劣化モデルを用いた総電離線量誘導SER変動の評価【JST・京大機械翻訳】

Evaluation of Total Ionizing Dose Induced SER Variation Using Novel Transistor Degradation Model

著者 (3件)： Shao Jin-Jin (College of Computer, National University of Defense Technology,Changsha,Hunan,China,410073) ,  Song Rui-Qiang (College of Computer, National University of Defense Technology,Changsha,Hunan,China,410073) ,  Zhang Xiao-Yu (College of Computer, National University of Defense Technology,Changsha,Hunan,China,410073)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,新しいトランジスタ劣化モデルを示した。それは回路レベルSERシミュレーションに適し,TID誘起SER変動の評価に役立つ。シミュレーション結果は公表データと良好な一致を示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *トランジスタ
準シソーラス用語： 劣化モデル ,  *総電離線量 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： トランジスタ ,  劣化モデル ,  総電離線量 ,  誘導 ,  SER ,  評価