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J-GLOBAL ID：202102276993461071   整理番号：21A0005549

300mmSi基板上の高kAl_2O_3/In_0.53Ga_0.47Asの界面トラップと境界トラップ密度の量子力学的効果の包括的解析【JST・京大機械翻訳】

Comprehensive Analysis of Quantum Mechanical Effects of Interface Trap and Border Trap Densities of High-k Al₂O₃/In_0.53Ga_0.47As on a 300-mm Si Substrate

著者 (3件)： Amir Walid (School of Electrical Engineering, University of Ulsan, Ulsan, South Korea) ,  Kim Dae-Hyun (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University, Daegu, South Korea) ,  Kim Tae-Woo (School of Electrical Engineering, University of Ulsan, Ulsan, South Korea)
資料名： IEEE Access  (IEEE Access)
巻： 8  ページ： 211464-211473  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2422A  ISSN： 2169-3536  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300mmSi(001)基板上のIn_xGa_1-xAsへの温度変化によるALD堆積Al_2O_3の界面トラップ(D_it)と境界トラップ(N_bt)の決定における量子閉じ込めの影響を調べた。また,1D Poisson-Schrodingerソルバーシミュレーションツール(Nextnano)を用いて,高k/Siと高k/In_xGa_1-xAs構造の全ゲートキャパシタンスに対するこれらの効果の影響を解析した。量子閉込めは,高k/Si構造のゲートキャパシタンスにはほとんど影響しないが,高k/In_xGa_1-xAs構造に対してかなり多量の影響を与え,全ゲートキャパシタンスを実質的に低下させる。絶縁体-半導体界面と電荷重心の間の実際の厚さを反映するために,静電容量等価厚みを用いて,In_xGa_1-xAs層中の量子閉じ込めの影響を反映した。容量等価厚さを用いて抽出したD_itとN_bt値は,等価酸化物厚さによる抽出の値よりも高い約10%と25%であった。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  電荷 ,  半導体 ,  酸化物 ,  重心 ,  静電容量 ,  一次元 ,  温度変動 ,  量子閉込め ,  絶縁体
準シソーラス用語： *界面トラップ ,  *トラップ密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 界面トラップ ,  境界 ,  トラップ密度 ,  量子力学 ,  解析