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J-GLOBAL ID：202102277656100043   整理番号：21A0465874

決定論的平坦化により調製した超平坦単分子層MoSe_2における増強励起子-励起子衝突【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Exciton-Exciton Collisions in an Ultraflat Monolayer MoSe₂ Prepared through Deterministic Flattening

著者 (10件)： Hotta Takato (Department of Chemistry, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Ueda Akihiko (Department of Chemistry, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Higuchi Shohei (Department of Chemistry, Nagoya University, Aichi, Japan) ,  Okada Mitsuhiro (Nanomaterials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Shimizu Tetsuo (Nanomaterials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Kubo Toshitaka (Nanomaterials Research Institute, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Ibaraki, Japan) ,  Ueno Keiji (Department of Chemistry, Saitama University, Japan) ,  Taniguchi Takashi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Watanabe Kenji (Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Ibaraki, Japan) ,  Kitaura Ryo (Department of Chemistry, Nagoya University, Aichi, Japan)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 15  号： 1  ページ： 1370-1377  発行年： 2021年 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数層グラフェンキャップ層を通しての力の適用による層間空間からの気泡と不純物のスクイージングは,荷電不純物から生じるランダム静電ポテンシャルのない超平面構造を有するvan der Waalsヘテロ構造をもたらす。グラフェンキャップ層がないと,AFMチップによるスクイージングプロセスはΔn2×1012cm-2μN-1の印加力依存電荷を誘起し,低温でのMoSe_2の光ルミネセンススペクトルにおけるトリオンの顕著な強度をもたらした。”グラフェンキャッピング支援AFMナノスクイージング法”で調製したhBN/MoSe_2/hBNは,無視できるトリオンピークを有する強い励起子発光を示し,励起子ピークの残留線幅は2.2meVだけであり,これは均一限界に匹敵した。さらに,この高品質試料において,励起子間の衝突の増大により,非常に低い励起パワー(Φ_ph~2.3×1019cm-2s-1)でさえ,バイ励起子の生成が起こることを見出した。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 気泡 ,  低温 ,  電荷 ,  不純物 ,  *励起 ,  *励起子 ,  *単分子層 ,  平面構造 ,  スクイージング ,  グラフェン
準シソーラス用語： 静電ポテンシャル ,  キャップ層 ,  平坦化 ,  高品質 ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： two-dimensional materials ,  van der Waals heterostructures ,  deterministic flattening ,  optical physics ,  microspectroscopy ,  biexcitons

分類 (2件)： 励起子  (BM02120E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 平坦化 ,  調製 ,  平坦 ,  単分子層 ,  増強 ,  励起子 ,  衝突