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J-GLOBAL ID：202102277935970638   整理番号：21A0362053

TiN電極を用いたTa₂O₅-ReRAMにおけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存

Coexistence of digital and analog resistive switching in Ta₂O₅-based ReRAM cells with TiN electrodes.

著者 (4件)： 山田和尚 (京大) ,  木本恒暢 (京大) ,  西佑介 (京大) ,  西佑介 (舞鶴工高専)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 120  号： 272(EID2020 1-14)  ページ： 42-45 (WEB ONLY)  発行年： 2020年11月25日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,Ni/Ta₂O₅/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化現象について調べた.同一の素子において,異なる二種類の抵抗変化特性が発現した.初期状態の素子をフォーミングさせると,その後の電圧印加により急峻な変化を有するデジタル抵抗変化特性を示した.一方で,フォーミングをさせず,初期状態の素子への電圧印加により特殊な状態へ遷移した素子は,その後の電圧印加により緩やかな変化を有するアナログ抵抗変化特性を示した.素子の電気的特性およびTa₂O₅層の酸素空孔の分布などから,それぞれの動作モデルについて検討をおこなった.(著者抄録)

シソーラス用語： チタン化合物 ,  窒化物 ,  酸化タンタル ,  *RAM【メモリ】 ,  変化 ,  *電気抵抗 ,  *積層構造 ,  供給 ,  電圧 ,  空格子点
準シソーラス用語： *ReRAM ,  TiN ,  酸素空孔 ,  抵抗変化 ,  電圧印加

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (13件)：

• H. Akinaga and H. Shima, “Resistive Random Access Memory (ReRAM) Based on Metal Oxides”, Proc. IEEE, vol.98, no.12, pp.2237-2251, Dec., 2010.
• J. F. Gibbons and W. E. Beadle, “Switching properties of thin NiO films”, Solid-State Electron., vol.7, no.11, pp.785-790, Nov., 1964.
• Y. Nishi, H. Sasakura, and T. Kimoto, “Conductance fluctuation in NiO-based resistive switching memory”, J. Appl. Phys., vol.124, no.15, 152134, Oct., 2018.
• M. D. Pickett, D. B. Strukov, J. L. Borghetti, J. J. Yang, G. S. Snider, D. R. Stewart, and R. S. Williams, “Switching dynamics in titanium dioxide memristive devices”, J. Appl. Phys., vol.106, no.7, 074508, Oct., 2009.
• M. Arahata, Y. Nishi, and T. Kimoto, “Effects of TiO₂ crystallinity and oxygen composition on forming characteristics in Pt/TiO₂/Pt resistive switching cells”, AIP Adv., vol.8, no.12, 125010, Dec., 2018.

タイトルに関連する用語 (7件)： TiN ,  Ta2O5 ,  ReRAM ,  デジタル ,  アナログ ,  抵抗変化 ,  共存