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J-GLOBAL ID：202102278167017489   整理番号：21A0169194

パワー半導体の現状と将来 総論:パワーエレクトロニクスの現状と将来

著者 (1件)： 岩室憲幸 (筑波大 数理物質系)
資料名： 電気評論  (Electrical Review)
巻： 105  号： 12  ページ： 6-12  発行年： 2020年12月10日 
JST資料番号： G0720A  ISSN： 0285-5860  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・5G,電気自動車などでますます注目されるパワーデバイスについて,シリコン,SiC,GaNのそれぞれの最新のパワーデバイス技術と今後の課題について紹介。
・今後も主流となるシリコンパワーデバイスについては,トレンチゲートの利用による性能向上が活発に実施されており,さらなるコスト低減と特性最適化が今後の主な課題。
・高放熱性が特徴のSiCパワーデバイスについては,高圧で大電流の導通能力を持つSiC-MOSFETの研究が盛んであり,さらなる低損失化と高信頼化が今後の課題。
・GaNパワーデバイスについては,GaN-HEMTのノーマリーオフ化について様々な構造が提案されており,外乱ノイズへの対策としての高しきい値化などが今後の課題。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  *MOSFET ,  IGBT ,  ゲート【半導体】 ,  *HEMT ,  回路特性 ,  損失
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  SiCパワーデバイス ,  トレンチゲート ,  ノーマリーオフ特性 ,  *パワーMOSFET ,  *パワーデバイス ,  低損失

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： パワー半導体 ,  現状 ,  将来 ,  パワーエレクトロニクス