文献

J-GLOBAL ID：202102278213925294   整理番号：21A0151774

サブ60mV/decサブスレッショルドスイングと高イオン/Ioff比を持つ電荷プラズマベース負性容量無接合トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Charge-plasma Based Negative Capacitance Junctionless Transistor With Sub-60mV/dec Subthreshold Swing and High Ion/IoffRatio

著者 (4件)： Li Long-Fei (The Shenzhen Key Lab of Advanced Electron Device and Integration, ECE, PKUSZ,Shenzhen,China,518055) ,  Chin Hung-Chih (Semiconductor Manufacturing International (Shenzhen) Corporation,Shenzhen,P.R.China,518118) ,  Zhang Lining (The Shenzhen Key Lab of Advanced Electron Device and Integration, ECE, PKUSZ,Shenzhen,China,518055) ,  Lin Xinnan (The Shenzhen Key Lab of Advanced Electron Device and Integration, ECE, PKUSZ,Shenzhen,China,518055)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICSICT  ページ： 1-3  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,電荷プラズマベースの負容量接合レストランジスタ(NC-CPJLT)を提案し,いくつかのシミュレーションを通して研究した。CPJLT上に強誘電体材料を採用することによって,新しいデバイスは,はるかに急峻なサブ閾値勾配(SS)とより高いI_on/I_off比を効果的に達成することができた。NC-CPJLTの駆動電流の改善は,チャネルドーピングレベルの増加とともに顕著になるが,提案したデバイスのSSは,まだ良好に機能することが分かった。そのうえ,より小さな装置はNC-CPJLTにおいてより良いSS最適化効果を共有した。本研究は,NC-CPJLTが低電力消費回路に対して大きな応用可能性を示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  接合 ,  *電荷 ,  *接合形トランジスタ ,  ドーピング ,  チャネル
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  駆動電流 ,  低電力化 ,  強誘電体材料 ,  *ネガティブキャパシタンス ,  *サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  DEC ,  サブスレッショルドスイング ,  イオン ,  電荷 ,  プラズマ ,  負性容量 ,  接合トランジスタ