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J-GLOBAL ID：202102278479303552   整理番号：21A0281779

SbドーピングによるDirac半金属[数式:原文を参照]膜におけるスピン-軌道結合の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of spin-orbit coupling in Dirac semimetal [Formula : see text] films by Sb doping
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著者 (8件)：
Nakazawa Yusuke

Nakazawa Yusuke について

(Department of Applied Physics and Quantum-Phase Electronics Center (QPEC), the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)

Department of Applied Physics and Quantum-Phase Electronics Center (QPEC), the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan について

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Uchida Masaki

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(Department of Applied Physics and Quantum-Phase Electronics Center (QPEC), the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)

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Uchida Masaki

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(PRESTO, Japan Science and Technology Agency (JST), Tokyo 102-0076, Japan)

PRESTO, Japan Science and Technology Agency (JST), Tokyo 102-0076, Japan について

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Nishihaya Shinichi

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(Department of Applied Physics and Quantum-Phase Electronics Center (QPEC), the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)

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Ohno Mizuki

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(Department of Applied Physics and Quantum-Phase Electronics Center (QPEC), the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)

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Sato Shin

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(Department of Applied Physics and Quantum-Phase Electronics Center (QPEC), the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)

Department of Applied Physics and Quantum-Phase Electronics Center (QPEC), the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan について

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Kawasaki Masashi

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(Department of Applied Physics and Quantum-Phase Electronics Center (QPEC), the University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan)

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Kawasaki Masashi

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(RIKEN Center for Emergent Matter Science (CEMS), Wako 351-0198, Japan)

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資料名：
Physical Review. B  (Physical Review. B)

Physical Review. B について


巻： 103  号： 4  ページ： 045109  発行年： 2021年 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 2469-9950  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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分子線エピタキシーにより成長させたSbをドープしたトポロジーDirac半金属[数式:原文を参照]の膜における磁気輸送に関する研究を示した。弱い反局在化解析において,スピン-軌道散乱速度の顕著な増強を見出し,Sbドーピングが元のバンド反転エネルギーの強い増加をもたらすことを示す。Sbドープ[数式:原文を参照]を他の化合物半導体と比較することにより,この大きな増強の可能な起源を議論した。Sbドープ[数式:原文を参照]は,トポロジーDirac半金属のさらなる調査と官能化のための適切なシステムである。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
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位相幾何学

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化合物半導体

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官能化

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準シソーラス用語：
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反局在

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*Dirac半金属

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分類 (3件)：
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(BM02050C)

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ドーピング

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