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J-GLOBAL ID：202102278628993499   整理番号：21A0445889

埋め込み水平Schottkyデバイスを有するHV nLDMOSの強化されたESD信頼性【JST・京大機械翻訳】

Strengthened ESD Reliability of HV nLDMOSs with Embedded Horizontal Schottky Devices

著者 (6件)： Hong Shi-Zhe (National United University,Department of Electronic Engineering,Miaoli,Taiwan) ,  Chen Shen-Li (National United University,Department of Electronic Engineering,Miaoli,Taiwan) ,  Fan Sheng-Kai (National United University,Department of Electronic Engineering,Miaoli,Taiwan) ,  Lin Po-Lin (National United University,Department of Electronic Engineering,Miaoli,Taiwan) ,  Lan Tien-Yu (National United University,Department of Electronic Engineering,Miaoli,Taiwan) ,  Zhou Yu-Jie (National United University,Department of Electronic Engineering,Miaoli,Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICKII  ページ： 78-79  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高電圧(60V)nLDMOS素子のドレイン側埋め込み水平型Schottkyダイオード変調(接触数変調)を,0.25μm60-Vプロセスを用いて本論文で研究した。HV成分は,伝送線路パルス(TLP)試験機によってテストした。N+重ドープ領域がドレイン端でSchottkyダイオードによって徐々に置換されたので,等価直列Schottkyダイオードのオン抵抗は増加した。一方,二次絶縁破壊電流も増加し,nLDMOSデバイスのESD免疫は強化された。完全なSchottky成分の最高のI_t2値(4.53A)は,以前のnLDMOS成分と比較して103.14%改善した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 絶縁破壊 ,  電流 ,  *信頼性 ,  試験装置 ,  Schottky障壁ダイオード ,  ドーピング ,  伝送線路 ,  パルス ,  水平型 ,  オン抵抗

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 埋め込み ,  強化 ,  ESD