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J-GLOBAL ID：202102278945263392   整理番号：21A1409942

放射線硬化0.18μm CMOSプロセスのためのGGNMOS ESD保護装置の設計【JST・京大機械翻訳】

Design of GGNMOS ESD protection device for radiation-hardened 0.18μm CMOS process

著者 (4件)： Jianwei Wu (THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA) ,  Zongguang Yu (THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA) ,  Genshen Hong (THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA) ,  Rubin Xie (THE 58TH RESEARCH INSTITUTE OF CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP CORPORATION,WUXI 214035,CHINA)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 41  号： 12  ページ： 52-59  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,放射線硬化0.18μmバルクシリコンCMOSプロセス(プロセス:RHBP)におけるGGNMOS(ゲート接地NMOS)デバイスのESD放電能力を,レイアウトとイオン注入設計によって最適化した。放電電流密度と格子温度に及ぼすGGNMOSのゲート長,DCGSとESDイオン注入の影響を,TCADとデバイスシミュレーションによって研究した。ESD検証構造のDCGSのサイズ,マルチフィンガー数,および単一指幅を設計し,ESDにおけるGGNMOSデバイスの放電容量と効率をTLP試験技術によって特性評価した。最後に,最適化GGNMOSをDSP回路上で検証し,そのESD性能はHBMモードで3500V以上であった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  放電 ,  接地 ,  *保護装置 ,  イオン注入 ,  *放射線架橋 ,  キャラクタリゼーション ,  *NMOS構造 ,  *CMOS
準シソーラス用語： ゲート長 ,  *CMOSプロセス ,  TCAD ,  デバイスシミュレーション ,  放電電流 ,  バルクシリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  変復調回路  (NC05050F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 放射線硬化 ,  CMOSプロセス ,  ESD保護 ,  設計