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J-GLOBAL ID：202102279159142376   整理番号：21A0147940

SERS応用のための高アスペクト比ナノピラーアレイのための新しい作製技術【JST・京大機械翻訳】

A novel fabrication technique for high-aspect-ratio nanopillar arrays for SERS application

著者 (5件)： Duan Tianli (SUSTech Core Research Facilities, Southern University of Science and Technology, 1088 Xueyuan Avenue, Shenzhen 518055, China. [e-mail]) ,  Gu Chenjie ,  Ang Diing Shenp ,  Xu Kang ,  Liu Zhihong
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 10  号： 73  ページ： 45037-45041  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高いアスペクト比を有するシリコンナノピラーアレイの作製のための新しい技術を実証した。この技術は,イオン結合プラズマ(ICP)エッチング中のクロム(Cr)ハードマスクに存在する「アンテナ効果」を利用する。Crエッジの周りのランダムに分布した鋭いチップはエッチングイオンを引きつけるアンテナとして作用し,それはCrエッジのエッチングを促進する。このアンテナ効果は,より小さいCrマスクサイズと,より小さいナノピラー直径をもたらす。ICPエッチング中の最適化SF_6とCHF_3ガス流により,サブ30nm直径のナノピラーアレイ,20アスペクト比,および崩壊のない急峻な側壁を達成できた。提案した技術は,従来のナノピラーアレイ製作の限界を破り,表面強化Raman散乱(SERS)のような多くの分野で適用される。この方法で作製したナノピラーアレイ上で行った一連のSERSシミュレーションは,明白なRamanスペクトル強度増強を示した。この増強は,ナノピラーの直径が小さくなり,アスペクト比が高くなるとより明白になり,これは,高い光吸収,雷ロッド効果,および表面状態の高い密度のため,表面に利用可能な多数の自由電子により説明できる。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman散乱 ,  Ramanスペクトル ,  アンテナ ,  イオン ,  *エッチング ,  最適化 ,  プラズマ ,  シミュレーション ,  光吸収 ,  クロム ,  ケイ素 ,  気体流 ,  イオン結合 ,  *ナノピラー ,  自由電子 ,  改変

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  高アスペクト比 ,  ナノピラー ,  アレイ ,  作製技術