オルトけい酸テトラメチル修飾InP/ZnS量子ドットの光安定性改善

WATANABE Taichi; ISO Yoshiki; ISOBE Tetsuhiko; SASAKI Hirokazu

文献

J-GLOBAL ID：202102279429958046 整理番号：21A0834898

オルトけい酸テトラメチル修飾InP/ZnS量子ドットの光安定性改善

Improved Photostability of Tetramethyl Orthosilicate-Modified InP/ZnS Quantum Dots

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資料名：
巻： 24th ページ： ROMBUNNO.PHp2-3L 発行年： 2017年12月05日
JST資料番号： L4269B ISSN： 1883-2504 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

・半導体ナノ結晶量子ドットの蛍光波長はそのサイズに依存し,この特性を利用して蛍光波長の適切な調整で白色発光ダイオード,生体イメージングに適用できることを説明。
・オルトけい酸テトラメチルから誘導されたシリカによってシェル化されたInP/ZnS量子ドットを疎水性条件で調整。
・青色LEDによる1200分間の連続励起下でのオルトけい酸テトラメチル修飾InP/ZnS量子ドットペースト強度は80%を保持,高い光安定性を提示。

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半導体の可視・紫外スペクトル

引用文献 (7件)：

D. Vasudevan, R. Ranganathan Gaddam, A. Trinchi, I. Cole, “Core-shell quantum dots: Properties and applications”, J. Alloys Compd., vol. 636, pp. 395-404 (2015).
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X. Yang, D. Zhao, K. S. Leck, S. T. Tan, Y. X. Tang, J. Zhao, H. V. Demir, X. Sun, “Full visible range covering InP/ZnS nanocrystals with high photometric performance and their application to white quantum dot light-emitting diodes”, Adv. Mater., vol. 24, pp.4180-4185 (2012).
E. Jang, W. Song, K. Lee, H. Yang, “Preparation of a photo-degradation- resistant quantum dot-polymer composite plate for use in the fabrication of a highstability white-light-emitting diode”, Nanotechnol., vol.24, 045607 (2013).

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