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J-GLOBAL ID:202102279466067171   整理番号:21A0456329

可視光照射でのZn-ポルフィリン/Re錯体により増感されたCO_2還元/触媒における正孔注入/移動媒体としてのp型半導体NiOへのLiイオンドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Li ions doping into p-type semiconductor NiO as a hole injection/transfer medium in the CO2 reduction sensitized/catalyzed by Zn-porphyrin/Re-complex upon visible light irradiation
著者 (10件):
資料名:
巻: 47  号:ページ: 269-285  発行年: 2021年 
JST資料番号: A0851B  ISSN: 0922-6168  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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増感剤と半導体上に共吸着した分子触媒からなる分子触媒増感系(MCSS)は,電子ドナーとして水によるCO_2固定を可能にする人工光合成システムの有望な候補である。ここでは,増感剤としてのモノカルボキシフェニルトリメシチルポルフィリン亜鉛(II)およびp型半導体,NiO上に共吸着した触媒としてのRe(ジカルボキシビピリジン)(CO)_3(CH_3CN)を,CO_2のCOへのMCSS触媒光還元に採用した。NiOをゾル/ゲル法で調製し,Liイオンをドープして,それぞれ[Li]/[Ni]=0,3,6,9%の量で正孔キャリア移動度を促進した。NiOの伝導率は,Liイオンのドーピング量とともに直線的に増加し,一方,MCSS中のCO_2の光還元は,Liイオンの3,6%のドーピングの下で強化されたが,9%のより高いドーピング量の下では遅延した。NiO内の正孔キャリア移動度に及ぼすLiイオンドーピングの促進効果により,明らかに矛盾する増強と遅延の両方をうまく説明し,NiO内のラジカルイオン対からの電荷分離と自由正孔キャリアとの電荷再結合の両方を増強した。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光化学反応  ,  塩基,金属酸化物 
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