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J-GLOBAL ID：202102280639931674   整理番号：21A0361851

ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション

NEGF Simulation of Band-to-band Tunneling in van der Waals Heterostructures

著者 (4件)： 森伸也 (大阪大 大学院工学研究科) ,  橋本風渡 (大阪大 大学院工学研究科) ,  三島嵩也 (大阪大 大学院工学研究科) ,  田中一 (大阪大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 120  号： 239(SDM2020 22-34)  ページ： 52-57 (WEB ONLY)  発行年： 2020年11月12日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 層間トンネルを非平衡グリーン関数(NEGF)法を用いて調べた.はじめに,層間トンネルの特徴について単純化したモデルの範囲で調べた.つぎに,密度汎関数理論からパラメータを抽出した強束縛近似に基づくNEGF法を用いて,遷移金属ダイカルコゲナイド・ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネル電流を計算した.(著者抄録)

シソーラス用語： *トンネル効果 ,  シミュレーション ,  *Green関数 ,  近似法 ,  非平衡状態 ,  密度汎関数法 ,  抽出 ,  強束縛近似 ,  電流 ,  FET【トランジスタ】 ,  制御 ,  カルコゲン化物 ,  遷移金属化合物 ,  素子構造 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： *ファンデルワールスヘテロ構造 ,  *バンド間トンネリング ,  *非平衡Green関数 ,  パラメータ抽出 ,  トンネル電流 ,  TFET ,  ゲート制御 ,  *遷移金属ダイカルコゲナイド

分類 (2件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (20件)：

• M. Chhowalla, D. Jena, and H. Zhang, “Two-dimensional semiconductors for transistors,” Nature Reviews Materials, 1, 16052 (2016).
• D. Esseni, M. Pala, P. Palestri, C. Alper, and T. Rollo, “A review of selected topics in physics based modeling for tunnel field-effect transistors,” Semiconductor Science and Technology, 32, 083005 (2017).
• Q.H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J.N. Coleman, and M.S. Strano, “Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides,” Nature Nanotechnology, 7, 699 (2012).
• K.S. Novoselov, A. Mishchenko, A. Carvalho, and A.H. Castro Neto, “2D materials and van der Waals heterostructures,” Science, 353,6298 (2016).
• S. Datta, Electronic Transport in Mesoscopic Systems (Cambridge University Press, Cambridge, 1995).

タイトルに関連する用語 (3件)： バンド ,  トンネル ,  シミュレーション