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J-GLOBAL ID：202102281127811397   整理番号：21A0159342

MOCVDおよび太陽光ブラインド紫外光検出器によりc-サファイア上に成長させたε-Ga_2O_3膜の結晶特性【JST・京大機械翻訳】

Crystalline properties of ε-Ga₂O₃ film grown on c-sapphire by MOCVD and solar-blind ultraviolet photodetector

著者 (11件)： Cao Xu (Key Laboratory of Opto-electronics Technology, Ministry of Education, College of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China) ,  Cao Xu (Nano Fabrication Facility, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou, 215123, China) ,  Xing Yanhui (Key Laboratory of Opto-electronics Technology, Ministry of Education, College of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China) ,  Han Jun (Key Laboratory of Opto-electronics Technology, Ministry of Education, College of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China) ,  Li Junshuai (Nano Fabrication Facility, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou, 215123, China) ,  He Tao (Nano Fabrication Facility, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou, 215123, China) ,  He Tao (School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, China) ,  Zhang Xiaodong (Nano Fabrication Facility, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou, 215123, China) ,  Zhao Jiahao (Key Laboratory of Opto-electronics Technology, Ministry of Education, College of Microelectronics, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China) ,  Zhao Jiahao (Nano Fabrication Facility, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou, 215123, China) ,  Zhang Baoshun (Nano Fabrication Facility, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, CAS, Suzhou, 215123, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 123  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c面サファイア上のε-Ga_2O_3膜の不均一エピタクシーを有機金属化学蒸着により行った。結晶品質とエピタキシャル関係をX線回折と透過型電子顕微鏡で調べた。ε-Ga_2O_3膜の結晶品質と形態に及ぼす厚さ変化の影響を分析した。0.46°の半値全幅を有する高品質ε-Ga_2O_3膜を480nmで得た。2×103以上の大きなオン/オフ比,146A/Wのピーク応答性,1.2×1013Jonesの検出感度を有するε-Ga_2O_3金属-半導体-金属太陽ブラインド紫外光検出器を作製し,ε-Ga_2O_3膜の良好な光学特性を示した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  エピタクシー ,  光学的性質 ,  *紫外線 ,  *太陽 ,  電子顕微鏡観察 ,  半導体 ,  応答特性 ,  *太陽光 ,  *サファイア ,  *MOCVD ,  透過型電子顕微鏡 ,  FWHM
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 金属酸化物 ,  ε-Ga_2O_3 ,  MOCVD ,  TEM ,  ソーラーブラインドUV光検出器

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： MOCVD ,  太陽光 ,  ブラインド ,  紫外光 ,  検出器 ,  サファイア ,  成長 ,  結晶