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J-GLOBAL ID:202102281448943736   整理番号:21A0233797

光起電応用のためのグラフェン量子ドット媒介半導体ウエハボンディング【JST・京大機械翻訳】

Graphene-Quantum-Dot-Mediated Semiconductor Wafer Bonding for Photovoltaic Applications
著者 (3件):
資料名:
巻: 2020  号: PVSC  ページ: 2029-2031  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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光波長変換グラフェン量子ドットにより媒介された半導体ウエハボンディングの新しい概念を提案し,実証した。作製スキームは,効率的なデバイス生産をもたらす同時結合形成と界面機能生成を提供する。波長変換官能化半導体界面工学を,埋め込まれたグラフェン量子ドットを有する粘着性粘性有機マトリックスを利用して実現した。紫外から可視への明確な波長変換と結合界面での中程度の機械的安定性と電気伝導率を検証し,実用化のための汎用性を実証した。この結合と界面スキームは,各光起電力材料に適したスペクトル光入射を可能にすることにより,太陽電池のようなオプトエレクトロニックデバイスの性能と構造柔軟性を改善できる。さらに,この接合法は,p-およびn-型ウエハとの結合により,量子ドット太陽電池の新しい構築技術である。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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