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J-GLOBAL ID：202102282171987856   整理番号：21A0234693

前方伝導能力を改善した新しい4H-SiC PiNダイオード【JST・京大機械翻訳】

A novel 4H-SiC PiN diode with improved forward conduction ability

著者 (4件)： Luo Jiaming (University of Electronic Science and Technology of China,The State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Electronic Science and Engineering,Chengdu,P. R. China) ,  Zhang Yourun (University of Electronic Science and Technology of China,The State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Electronic Science and Engineering,Chengdu,P. R. China) ,  Chen Hang (University of Electronic Science and Technology of China,The State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Electronic Science and Engineering,Chengdu,P. R. China) ,  Luo Maojiu (University of Electronic Science and Technology of China,The State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Electronic Science and Engineering,Chengdu,P. R. China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： SSLChina: IFWS  ページ： 45-48  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,新しい4H-SiC PiNダイオードを提案し,順方向電流伝導能力を改善した。新しいPiN構造は,厚さ30μmのN型ドリフト層における浮遊p型埋込み領域を特徴とする。公式導出とTCAD数値シミュレーションを行い,伝導機構を調べ,構造パラメータを最適化した。ドリフト層にp型埋込み領域を導入することにより,アノード領域の境界近くの電場強度が増大し,P+層からのキャリア注入の大きさが増加した。フォワード伝導特性のシミュレーション結果は,p型埋込み領域を有する新しいPiNダイオードの順方向電流密度が,5Vのフォワード電圧で従来のPiNのものより28.8%高いことを示した。さらに,新しいPiN電池の絶縁破壊電圧は,同時に最大4350Vであった。したがって,p型埋込み領域を有するこの電流増強PiNダイオードは,高出力電子応用に使用できる有望なダイオードである。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  シミュレーション ,  *ダイオード ,  電圧 ,  電池 ,  電流 ,  ドリフト ,  電流密度 ,  キャリア注入 ,  電界強度 ,  アノード
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  *4H-SiC ,  絶縁破壊電圧 ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 伝導 ,  能力 ,  4H-SiC ,  PINダイオード