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J-GLOBAL ID：202102283860071548   整理番号：21A0565741

改良された高周波FOMを有する垂直GaNスプリットゲートトレンチMOSFET【JST・京大機械翻訳】

Vertical GaN Split Gate Trench MOSFET with Improved High Frequency FOM

著者 (3件)： Jaiswal Nilesh Kumar (Vellore Institute of Technology,Micro and nanoelectronics,Vellore,India) ,  Ramakrishnan V. N. (Vellore Institute of Technology,Micro and nanoelectronics,Vellore,India) ,  Roy Sukhendu Deb (Indian Institute of Science,TBI, CeNSE,Bengaluru,India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： INDICON  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TCADシミュレーションを用いて,600Vスイッチング応用のための従来のトレンチゲートMOS-FETと新しい垂直GaNスプリットゲートトレンチMOSFET(SGT-MOSFET)の系統的解析と比較を行った。このシミュレーションモデルを較正し,文献で利用可能な実験データに整合させた。SGT-MOSFETは,従来のMOSFETの場合と比較して,比オン抵抗の増加なしに,7倍低いHF-FOM(C_rss・R_on)と3倍低いHF-FOM(Q_GD・R_on)を示した。また,提案したデバイスの製作に必要な主なプロセスステップを示した。これらの改善は,伝導とスイッチング損失を減らし,高周波電力変換をより効率的にするために重要である。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  スイッチング ,  シミュレーションモデル ,  *MOSFET ,  *HF【周波数】 ,  *窒化ガリウム ,  オン抵抗 ,  スイッチング損失
準シソーラス用語： トレンチゲート ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高周波 ,  FOM ,  垂直 ,  GaN ,  スプリットゲート ,  トレンチ ,  MOSFET