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J-GLOBAL ID：202102284441522441   整理番号：21A3314363

Manningポテンシャルを持つ二重GaAs/AlGaAs量子井戸に対する外部場の効果【JST・京大機械翻訳】

The effects of external fields on double GaAs/AlGaAs quantum well with Manning potential

著者 (2件)： Kasapoglu E. (Faculty of Science, Department of Physics, Sivas Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey) ,  Duque C.A. (Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellin, Colombia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 137  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,外部印加電場および磁場下のManning様二重量子井戸の電子および光吸収係数を計算した。線形および三次非線形吸収係数を計算するために,密度行列展開における2レベルアプローチを用いた。調査結果は,電子構造が井戸と障壁幅,井戸深さ,井戸間の結合,および適用した外部場強度を変えることによって調整できることを示した。さらに,電場下のManning様ポテンシャルを持つ非対称二重量子井戸における直接および間接励起子状態を実験研究と比較した。得られた結果から,Manning様ポテンシャルは,急峻なポテンシャル障壁を有する非対称二重量子井戸における電子状態をモデル化するための優れた戦略であり,また,Manning様ポテンシャルは,多重ヘテロ構造の界面での相互拡散効果のモデリングを可能にすると結論した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  吸収係数 ,  磁場 ,  電場 ,  密度行列 ,  励起子 ,  *ヒ化ガリウム ,  非対称性 ,  多重化 ,  ポテンシャル障壁 ,  *外場 ,  *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  二重量子井戸 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 有人ポテンシャル ,  二重量子井戸 ,  光学吸収係数 ,  直接および間接励起子

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  発光素子  (NC03082G) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポテンシャル ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  外部場