文献

J-GLOBAL ID：202102284856962511   整理番号：21A0445885

熱応力を有する28nm高k nMOSFETの接合完全性【JST・京大機械翻訳】

Junction Integrity for 28nm High-k nMOSFETs with Thermal Stress

著者 (7件)： Lin Yu-Chen (Minghsin University of Science and Technology,Department Electronic Engineering,Hsinchu,Taiwan,30401) ,  Zhan Kai-Chun (Minghsin University of Science and Technology,Department Electronic Engineering,Hsinchu,Taiwan,30401) ,  Zhang Ji-Min (Minghsin University of Science and Technology,Department Electronic Engineering,Hsinchu,Taiwan,30401) ,  Chen Jian-Ming (Minghsin University of Science and Technology,Department Electronic Engineering,Hsinchu,Taiwan,30401) ,  Chang Cheng-Hsun-Tony (Minghsin University of Science and Technology,Department Electronic Engineering,Hsinchu,Taiwan,30401) ,  Wang Shea-Jue (National Taipei University of Technology,Department of Materials and Resources Engineering,Taipei,Taiwan,10608) ,  Wang Mu-Chun (Minghsin University of Science and Technology,Department Electronic Engineering,Hsinchu,Taiwan,30401)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICKII  ページ： 64-66  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： nチャネルMOSFET(nMOSFET)のOFF状態電流における接合完全性は重要な役割を果たす。ソース/ドレイン接合の漏れ電流と絶縁破壊電圧の電気的性能の他に,ゲート誘起ドレイン漏れ(GIDL)効果を考慮する必要がある。降伏または信頼性の懸念を選別する試験は,ドレインとゲートゾーンの間のオーバレイ界面の下で潜在欠陥を強化するための熱応力を要求する。熱増加と28nm高k(HK)ゲート誘電体の完全性との関係でフリンジゲート漏れを調べるのは有益である。応力温度が上昇すると,接合漏れとGIDL効果は,特により高い応力温度環境において,次第に増加した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  接合 ,  電流 ,  *熱応力 ,  信頼性 ,  漏れ電流 ,  完全性 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  *nMOSFET ,  オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱応力 ,  nMOSFET ,  完全性