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J-GLOBAL ID：202102285537997891   整理番号：21A0465725

室温におけるAgインターカレーションに対するBi_2Se_3におけるトポロジカル表面状態の持続性【JST・京大機械翻訳】

Persistence of the Topological Surface States in Bi₂Se₃ against Ag Intercalation at Room Temperature

著者 (23件)： Ye Mao (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Ye Mao (Graduate School of Science, Hiroshima University, Japan) ,  Kuroda Kenta (Graduate School of Science, Hiroshima University, Japan) ,  Otrokov Mikhail M. (Centro de Fisica de Materiales (CFM-MPC), Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, Basque Country, Spain) ,  Otrokov Mikhail M. (IKERBASQUE, Basque Foundation for Science, Basque Country, Spain) ,  Otrokov Mikhail M. (Donostia International Physics Center (DIPC), Basque Country, Spain) ,  Ryabishchenkova Anastasia G. (A.V. Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Russia) ,  Ryabishchenkova Anastasia G. (Tomsk State University, Russia) ,  Jiang Qi (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Ernst Arthur (Institut fuer Theoretische Physik, Johannes Kepler Universitaet, Austria) ,  Ernst Arthur (Max-Planck-Institut fuer Mikrostrukturphysik, Germany) ,  Chulkov Evgueni V. (Departamento de Fisica de Materiales, UPV/EHU, Basque Country, Spain) ,  Chulkov Evgueni V. (Donostia International Physics Center (DIPC), Basque Country, Spain) ,  Chulkov Evgueni V. (Saint Petersburg State University, Russia) ,  Nakatake Masashi (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima University, Japan) ,  Arita Masashi (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima University, Japan) ,  Okuda Taichi (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima University, Japan) ,  Matsushita Tomohiro (Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Nara, Japan) ,  Toth Laszlo (Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Nara, Japan) ,  Daimon Hiroshi (Nara Institute of Science and Technology (NAIST), Nara, Japan) ,  Shimada Kenya (Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima University, Japan) ,  Ueda Yoshifumi (Kure National College of Technology, Japan) ,  Kimura Akio (Graduate School of Science, Hiroshima University, Japan)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 125  号： 3  ページ： 1784-1792  発行年： 2021年 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag原子堆積時のトポロジー絶縁体Bi_2Se_3の電子および原子構造を,走査型トンネル顕微鏡(STM),光電子分光法,および第一原理計算の複合実験方法によって研究した。STMの結果から,堆積したAg原子は最上面に吸着される代わりに表面直下で安定化されていることを示した。さらに,角度分解光電子放出分光法から,Bi_2Se_3(0001)トポロジー表面状態が,Ag原子の大量の吸収後に中断されないことを示した。軟X線で励起したAgコア状態の光電子強度の解析は,大量の堆積Ag原子がより深い位置に拡散し,X線光電子分光法のプロービング深さを越えていることを示唆した。第一原理計算は,五重層間のvan der Waalsギャップにおける八面体サイトを,表面直下のAg原子の最も好ましい位置であることを同定し,これは,シミュレートしたSTM画像と実験的STM画像との良好な一致をもたらした。これらの発見は,トポロジー的に自明でない表面状態を乱すことなく,トポロジー絶縁体の局所格子構造を調整する効率的な方法を開いた。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 位相幾何学 ,  光電子放出 ,  軟X線 ,  格子構造 ,  *銀 ,  原子構造 ,  光電子分光法 ,  被覆層 ,  X線光電子分光法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  *インターカレーション ,  光電子 ,  トポロジカル絶縁体 ,  第一原理計算 ,  トポロジカル表面状態

分類 (3件)： 金属の表面構造  (BK15020P) ,  吸着の電子論  (CB12042Y) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  Ag ,  インターカレーション ,  トポロジカル表面状態 ,  持続性