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J-GLOBAL ID：202102285884519223   整理番号：21A0672532

p-GaNゲートHEMTの閾値電圧に対する物理的電荷ベースモデル【JST・京大機械翻訳】

A physical Charge-based Model for threshold voltage of p-GaN Gate HEMTs

著者 (5件)： Xia Ying (Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou) ,  Liu Jun (Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou) ,  Wang Jie (Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou) ,  Ma Shuqi (Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou) ,  Wang Jinye (Hangzhou Dianzi University,Key Laboratory of RF Circuits and Systems, Ministry of Education,Hangzhou)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： NEMO  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,p-GaNゲートHEMTの閾値電圧に対する物理ベース解析モデルを提案した。EPFL HEMTモデルに基づいて,Poisson方程式によって得られた電位を,p-GaN/AlGaN界面での全負分極誘起電荷密度とp-GaNゲート層のMg外拡散を考慮して,解析的閾値電圧モデルを得るために,界面変位ベクトルの不連続性と組み合わせた。さらに,得られた閾値電圧過渡を,技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションを用いて説明し,良好な結果は,著者らの導出の正当性を検証した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  シミュレーション ,  電位 ,  *電荷 ,  分極 ,  CAD【計算機】 ,  Poisson方程式 ,  *窒化ガリウム ,  不連続性 ,  *HEMT ,  解析モデル
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  *閾値電圧 ,  TCAD ,  変位ベクトル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  ゲート ,  HEMT ,  閾値電圧 ,  物理 ,  電荷 ,  モデル