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J-GLOBAL ID：202102286226623809   整理番号：21A0894829

GaNデバイスに基づく両面冷却パワーモジュールの寄生容量特性評価【JST・京大機械翻訳】

Parasitic Capacitances Characterization of Double-Sided Cooling Power Module Based on GaN Devices

著者 (5件)： Li Bingyang (Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China) ,  Wang Kangping (Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China) ,  Zhu Hongkeng (Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China) ,  Yang Xu (Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China) ,  Wang Laili (Xi’an Jiaotong University,School of Electrical Engineering,Xi’an,China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： WiPDA Asia  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaNパワーモジュールの新しい両面冷却構造の寄生容量を解析した。構造の付加的トップセラミック基板により,寄生容量がより複雑になった。解析により,全GaNデバイスのゲートソース寄生容量とゲート-ドレイン寄生容量と半ブリッジ回路の上GaNデバイスのドレインソース寄生容量が,対応する固有キャパシタンスの1%未満である。しかし,ハーフブリッジ回路の底部GaNデバイスのドレイン源寄生容量(C_ossの14%)は,従来の単一側面冷却モジュールと比較して30%増加し,これはこの構造の熱抵抗が約半分になるので許容できる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱抵抗 ,  ブリッジ回路 ,  静電容量 ,  *漂遊容量 ,  *窒化ガリウム ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： セラミック基板 ,  *パワーモジュール ,  冷却構造 ,  ハーフブリッジ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  両面 ,  パワーモジュール ,  寄生容量 ,  特性評価