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J-GLOBAL ID：202102287074740256   整理番号：21A0697695

電極電位制御による抵抗保持特性の改善

Improvement of Data Retention Characteristics by Controlling Electrode Potential

著者 (8件)： 佐藤洋士 (東京理大 理) ,  佐藤洋士 (産業技術総合研) ,  木下健太郎 (東京理大 理) ,  本間祐晟 (産業技術総合研) ,  島久 (産業技術総合研) ,  内藤泰久 (産業技術総合研) ,  秋永広幸 (産業技術総合研) ,  伊藤敏幸 (鳥取大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.11p-Z07-6  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【序論】これまで,IL-CBRAMの電気特性の評価について報告してきた[1].IL-CBRAMとは,導電性ブリッジメモリ(CBRAM)のメモリ層に人工的に制御された細孔を導入し,そこにイオン液体(IL)を閉じ込めた素子である.IL-CBRA...【本文一部表示】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  酸化 ,  電圧 ,  電流 ,  腐食 ,  付着 ,  タンタル ,  銅 ,  白金 ,  *電極電位 ,  二酸化ケイ素 ,  素子構造 ,  導電性 ,  イオン液体
準シソーラス用語： 薄膜形成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電極電位 ,  保持特性