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J-GLOBAL ID：202102287531001152   整理番号：21A0984288

GaN技術のためのHEMTデバイスパラメータの正確な統計的抽出のためのY関数ベース方法論【JST・京大機械翻訳】

Y-Function Based Methodology for Accurate Statistical Extraction of HEMT Device Parameters for GaN Technology

著者 (11件)： Kammeugne Romeo Kom (CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000) ,  Leroux Charles (CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000) ,  Cluzel Jacques (CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000) ,  Vauche Laura (CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000) ,  Le Royer Cyrille (CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000) ,  Gwoziecki Romain (CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000) ,  Biscarrat Jerome (CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000) ,  Gaillard Fred (CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000) ,  Charles Matthew (CEA, Leti, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,F-38000) ,  Bano Edwige (IMEP-LAHC, MINATEC/INPG, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,38016) ,  Ghibaudo Gerard (IMEP-LAHC, MINATEC/INPG, Univ. Grenoble Alpes,Grenoble,France,38016)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： EUROSOI-ULIS  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN技術用の高Electron移動度トランジスタ(HEMT)デバイスの電気的パラメータの正確な統計的抽出のためのY関数に基づく新しいプロトコルを開発した。酸化物容量,閾値電圧,有効移動度およびアクセス抵抗のような関連する電気的パラメータを抽出した。このプロトコルを,異なるレベルのアクセス抵抗を持つ2つの通常オフデバイスHEMT GaNウエハに対して,広い範囲のチャネル長にわたって検証した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 移動度 ,  トランジスタ ,  酸化物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT
準シソーラス用語： チャネル長 ,  閾値電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  HEMT ,  パラメータ ,  統計 ,  関数 ,  方法論