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J-GLOBAL ID：202102288960593175   整理番号：21A2326117

p-GaNゲートHEMTの表面ポテンシャルベースコンパクトモデリング【JST・京大機械翻訳】

Surface-Potential-Based Compact Modeling of p-GaN Gate HEMTs

著者 (6件)： Wang Jie (The Key Laboratory for RF Circuit and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310012, China) ,  Chen Zhanfei (The Key Laboratory for RF Circuit and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310012, China) ,  You Shuzhen (Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC), Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Bakeroot Benoit (CMST, IMEC, Ghent University, Technologiepark 126, B-9052 Ghent, Belgium) ,  Liu Jun (The Key Laboratory for RF Circuit and Systems of Ministry of Education, Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310012, China) ,  Decoutere Stefaan (Interuniversity Microelectronics Centre (IMEC), Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： Micromachines (Web)  (Micromachines (Web))
巻： 12  号： 2  ページ： 199  発行年： 2021年 
JST資料番号： U7247A  ISSN： 2072-666X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Poisson方程式を解くp-GaNゲート高電子移動度トランジスタ(HEMT)の表面電位(SP)ベースコンパクトモデルを提案した。モデルは,外部拡散に起因する意図しないMgドーピング密度を含む,GaNチャネル層におけるすべての可能な電荷を含む。SP方程式とその解析的近似解は,SP計算に対して高度の精度を与え,それから閉形式I-V方程式を導いた。提案モデルは物理的パラメータのみを使用し,Verilog-Aコードに実装した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *表面電位 ,  マグネシウム ,  Poisson方程式 ,  ドーピング ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT
準シソーラス用語： コンパクトモデル ,  閉形式 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： p-GaNゲート高電子移動度トランジスタ ,  コンパクトモデル ,  物理学に基づくモデル ,  表面ポテンシャル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (20件)：

• Mishra, U.K.; Parikh, P.; Wu, Y.-F. AlGaN/GaN HEMTs-an overview of device operation and applications. Proc. IEEE 2020, 90, 1022-1031.
• Bakeroot, B.; Stockman, A.; Posthuma, N.; Stoffels, S.; Decoutere, S. Analytical Model for the Threshold Voltage of p-(Al)GaN High-Electron-Mobility Transistors. IEEE Trans. Electron Devices 2018, 65, 79-86.
• Marcon, D.; Saripalli, Y.N.; Decoutere, S. 200 mm GaN-on-Si epitaxy and e-mode device technology. In Proceedings of the 2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Washington, DC, USA, 7-9 December 2015.
• Posthuma, N.E.; You, S.; Liang, H.; Ronchi, N.; Kang, X.; Wellekens, D.; Saripalli, Y.N.; Decoutere, S. Impact of Mg out-diffusion and activation on the p-GaN gate HEMT device performance. In Proceedings of the 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), Prague, Czech Republic, 12-16 June 2016.
• Walter, R. Curtice. Nonlinear modeling of compound semiconductor HEMTs state of the art. In Proceedings of the IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, Anaheim, CA, USA, 23-28 May 2010.

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  ゲート ,  HEMT ,  表面ポテンシャル ,  コンパクトモデリング