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J-GLOBAL ID：202102289107742037   整理番号：21A0444542

DOEモデリングを用いたSiCビア(TSiCV)プロセス解析によるドライエッチング【JST・京大機械翻訳】

Dry Etched Through SiC Via (TSiCV) Process Analysis Using DOE Modeling

著者 (4件)： Mackowiak Piotr (Fraunhofer IZM,Germany) ,  Schiffer Michael (Fraunhofer IZM,Germany) ,  Scheider-Ramelow Martin (Technische Universitaet Berlin,Germany) ,  Lang Klaus-Dieter (Technische Universitaet Berlin,Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： EPTC  ページ： 10-13  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,RIEを用いたSiCのエッチングパラメータのモデリングに関する研究について述べた。実験は,全78の実験と85.4以上のD効率を有する実験計画法(DOE)を用いて行い,エッチング結果に影響を与える最も重要なプロセスパラメータを見出した。すべての実験は,直径によって3つの異なるために実施した。共焦点顕微鏡とSiCバイアの断面により,エッチングの評価を行った。その後,モデルをエッチング実験で検証し,予測モデルと非常に良好な一致を示した。モデルと検証の間の偏差は6%以下であった。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エッチング ,  実験計画法 ,  *炭化ケイ素 ,  *プロセス解析 ,  プロセスパラメータ ,  *ドライエッチング ,  共焦点顕微鏡 ,  予測モデル

分類 (5件)： 音声処理  (JE05000E) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  符号理論  (ND02030R) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： DOE ,  モデリング ,  SiC ,  プロセス解析 ,  ドライエッチング