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J-GLOBAL ID：202102289203951307   整理番号：21A0234686

低転位欠陥を有する6インチN型SiC単結晶の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of six inches N-type SiC single crystals with low dislocation defects

著者 (7件)： Zhang Fusheng (Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051) ,  Yang Kun (Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051) ,  Liu Xinhui (Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051) ,  Shang Yuanhang (Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051) ,  Niu Xiaolong (Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051) ,  Lu Yajuan (Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051) ,  Li Tingting (Hebei Synlight Crystal Co., Ltd,Baoding,China,071051)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： SSLChina: IFWS  ページ： 19-22  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れたパワーデバイスとシステム性能は,高品質のSiC基板の好ましい物理特性によって可能であろう。したがって,SiC基板における一次元転位欠陥の密度をさらに低減する必要がある。本研究では,成長技術および温度場分布を最適化することにより,低転位欠陥を有する6インチN型SiC結晶を調製する効率的な方法を示した。異なる成長システム構成を有する4つの異なる温度場を,VR-PVTソフトウェアによってモデル化した。異なる温度場で成長したSiC結晶のポリタイプをRaman分光法を用いて特性化した。そして,他のポリタイプが凹型温度場で成長するSiC結晶中に容易に形成されることを証明している。2つの異なる凸温度場で成長したSiC結晶の結晶品質と格子曲げを,HRXRDと光学顕微鏡を用いて特性評価した。その結果,明らかに凸状温度場は,SiC結晶における転位欠陥の大きな内部応力と伝播を引き起こすことができた。最後に,3.0×103cm-2の低い転位欠陥密度を有する6インチのN型SiC単結晶を,わずかに凸の温度場でPVT法により調製した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *単結晶 ,  内部応力 ,  光学顕微鏡 ,  *炭化ケイ素 ,  ソフトウェア ,  一次元 ,  ポリタイプ ,  Raman分光法 ,  温度場 ,  欠陥密度
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  パワーデバイス ,  高品質 ,  *単結晶成長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 転位 ,  欠陥 ,  SiC ,  単結晶の成長