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J-GLOBAL ID：202102289682839999   整理番号：21A0233865

SHJ太陽電池のためのa-Si:Hおよび反応性ITOスパッタリングの不動態化特性の向上【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Passivation Properties of a-Si:H and Reactive ITO Sputtering for SHJ Solar Cells

著者 (5件)： Donercark Ergi (Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey) ,  Guler Secil (Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey) ,  Ciftpinar E. Hande (Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey) ,  Kabacelik Ismail (Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey) ,  Turan Rasit (Center for Solar Energy Research and Application (GUeNAM), Middle East Technical University,Ankara,Turkey)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： PVSC  ページ： 2308-2312  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン太陽電池の変換効率の向上は,再生可能な電力資源の改善のために重要である。少数キャリア寿命,直列抵抗,接触抵抗および光学特性のようなデバイス特性は,より高い光変換効率を達成するために同時に改善されるべきである。反応性ITOスパッタリングと組み合わせた大面積シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池を作製するために,産業互換性プロセスフローを使用した。a-Si:H層の不動態化特性は,水素プラズマ処理によって改善され,蒸着された薄いa-Si:H層において,より低い界面欠陥密度とより高い”H”含有量をもたらした。さらに,ITO層のキャリア密度,移動度および抵抗率を解析し,ITOの最良の堆積条件をSHJ太陽電池プロセス配列に統合した。ITOと低温銀ペースト間の接触抵抗は,最適化乾燥と硬化温度パラメータによって減少した。大面積SHJ太陽電池では,20.8%の変換効率を達成した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  移動度 ,  光学的性質 ,  最適化 ,  接触抵抗 ,  *太陽電池 ,  低温 ,  電気抵抗率 ,  互換性 ,  *不動態化 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  シリコン太陽電池 ,  デバイス特性 ,  水素プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 太陽電池 ,  Si ,  反応性 ,  ITO ,  スパッタリング ,  不動態化