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J-GLOBAL ID：202102289822800727   整理番号：21A0577774

nチャネル歪シリコンMODFETを用いたサブテラヘルツ検出に及ぼす前面および背面照明の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of the Front and Back Illumination on Sub-Terahertz Detection Using n-Channel Strained-Silicon MODFETs

著者 (6件)： Delgado-Notario Juan A. (NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain) ,  Calvo-Gallego Jaime (NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain) ,  Velazquez-Perez Jesus E. (NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain) ,  Ferrando-Bataller Miguel (Departament of Communications, Telecommunication Engineering School, Universitat Politecnica de Valencia, 46022 Valencia, Spain) ,  Fobelets Kristel (Department of Electrical and Electronic Engineering, Imperial College London, Exhibition Road, London SW7 2BT, UK) ,  Meziani Yahya M. (NanoLab, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced, Edificio Trilinguee, 37008 Salamanca, Spain)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 10  号： 17  ページ： 5959  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ゲート2Dシステムにおけるプラズマ波は,テラヘルツ(THz)電磁放射を効率的に検出するために使用できる。本研究では,前面および背面サブTHz照明の下での歪Si変調ドープ電界効果トランジスタ(MODFET)の応答について報告した。MODFETの応答を,0.15と0.30THzの2トーン固体連続波源を用いて特性評価した。サブTHz放射(光起電力モード)を伝達する500nmゲート長トランジスタのDCドレイン-ソース電圧は,文献結果と一致する非共鳴応答を示した。照明の2つの構成を研究した。(i)トランジスタがその上側へ,そして(ii)デバイスが底面側にサブTHz放射を受ける背面照明側,即ち,Si基板上,の前面側照明。0.15THzでの励起の下で,ボンディングワイヤによるテラヘルツ放射の結合の明白な証拠が見出され,この結合はバック照明下よりもフロント照明の下で強い応答をもたらす。放射が0.3THzにシフトするとき,ボンディングワイヤを通してEM放射のより少ない効率的な結合の結果として,前面照明下の応答はかなり弱くなり,一方,バック照明の下で強化された。電磁シミュレーションは,MODFETのチャネルにおける誘起電場の大きさがバック照明下でかなり強いので,この挙動を説明した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 共鳴 ,  光起電力 ,  電圧 ,  電場 ,  トランジスタ ,  半導体 ,  プラズマ波 ,  ケイ素 ,  波源 ,  二次元 ,  電磁波放射 ,  変調ドーピング ,  *HEMT ,  *テラヘルツ波
準シソーラス用語： テラヘルツ放射 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： テラヘルツ ,  SiGe ,  MODFET ,  シリコン ,  電磁シミュレーション

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (25件)：

• Lewis, R.A. A review of terahertz detectors. J. Phys. D 2019, 52, 433001.
• Dragoman, D.; Dragoman, M. Terahertz fields and applications. Prog. Quantum Electron. 2004, 28, 1-66.
• Mittleman, D.M. Perspective: Terahertz science and technology. J. Appl. Phys. 2017, 122, 230901.
• Rainsford, T.; Mickan, S.P.; Abbott, D. T-Ray Sensing Applications: Review of Global Developments. In Proceedings of the Conference on Smart Structures, Devices, and Systems II, Sydney, Australia, 13-15 December 2004; pp. 826-838.
• Walker, C.K. Terahertz Astronomy; CRC Press: Boca Ratón, FL, USA, 2015.

タイトルに関連する用語 (7件)： Nチャネル ,  歪シリコン ,  MODFET ,  サブテラヘルツ ,  前面 ,  背面 ,  照明