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J-GLOBAL ID：202102290740349888   整理番号：21A0233912

全スパッタCdS/CdTeデバイスのための840mVを超える開路電圧【JST・京大機械翻訳】

Open-circuit Voltage Exceeding 840 mV for All-Sputtered CdS/CdTe Devices

著者 (8件)： Bastola Ebin (University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA) ,  Phillips Adam B. (University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA) ,  Shrestha Niraj (University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA) ,  Jamarkattel Manoj K. (University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA) ,  Awni Rasha A. (University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA) ,  Yan Yanfa (University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA) ,  Heben Michael J. (University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA) ,  Ellingson Randy J. (University of Toledo,Department of Physics,Toledo,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： PVSC  ページ： 2513-2518  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタリングはCdTe太陽電池を作製する効率的な方法である。しかし,スパッタデバイスの開回路電圧(V_oc)は,近接空間昇華または蒸着CdTeデバイスと比較して低い。ここでは,全スパッタCdS/CdTe太陽電池について,優れたVoc>840mVとフィルファクタ(FF)>71.0%を報告した。これらの結果は,脱イオン水中での塩化銅(II)(CuCl_2)によるCdTeの溶液ベースの銅(Cu)ドーピングによって達成された。蒸着Cuと比較して,溶液ベースドーピングはVocとFFを増加させ,スパッタCdTe薄膜の光電子特性を改善した。容量-電圧測定は,遊離正孔濃度がCuCl_2処理デバイスで2倍増加することを示した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 昇華 ,  スパッタリング ,  太陽電池 ,  薄膜 ,  銅 ,  *硫化カドミウム ,  塩化銅 ,  脱イオン水 ,  *テルル化カドミウム ,  蒸着 ,  電圧測定 ,  光電子
準シソーラス用語： *開回路電圧 ,  フィルファクタ ,  正孔濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタ ,  CdS ,  CdTe ,  開路電圧