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J-GLOBAL ID：202102291010826304   整理番号：21A0310047

ホウ素置換フラーレンC19Bn+(n=0-3)系の水素吸蔵に及ぼすイオン化度の影響【JST・京大機械翻訳】

Ionization-degree induced hydrogen storage by boron substituted fullerene C19Bn + (n =0-3)

著者 (6件)： Tian Chuanjin (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,景徳鎮333403) ,  Zhao Wenyan (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,景徳鎮333403) ,  Li Pengzhang (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,景徳鎮333403) ,  Wang Zhangan (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,景徳鎮333403;清華大学新型陶瓷与精細工芸国家重点実験室,北京100084) ,  Xie Zhipeng (景徳鎮陶瓷大学材料科学与工程学院,景徳鎮333403;清華大学新型陶瓷与精細工芸国家重点実験室,北京100084) ,  Wang Zhigang (吉林大学原子与分子物理研究所,長春130012)
資料名： Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao  (Yuanzi yu Fenzi Wuli Xuebao)
巻： 37  号： 6  ページ： 880-885  発行年： 2020年 
JST資料番号： C2079A  ISSN： 1000-0364  CODEN： YYFXEM  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)を用いて,ホウ素置換フラーレンC19Bn+(n=0-3)表面上の水素分子の非解離吸着状態,化学吸着状態,および吸着状態の間の遷移状態とエネルギーを研究し,吸着状態の間の変換反応のポテンシャルエネルギー面を得た。研究により、系のイオン化電荷を調整することで、吸着サイトの電荷分布数を調整でき、ホウ素置換フラーレンのイオン化系C19Bn+の水素吸蔵活性サイトの電荷分布数が増大するにつれ、水素分子が分極される程度及び水素分子が材料表面に吸着エネルギーが徐々に増大することが分かった。同時に、電荷分布数も変化させ、水素分子が表面吸着状態間の遷移障壁高さに、数Kcal/molの影響が生じた。私達の研究はフラーレン水素貯蔵の更なる発展に参考を提供したい。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオン化 ,  吸着 ,  電荷 ,  *ホウ素 ,  活性部位 ,  電荷分布 ,  *水素吸蔵 ,  ポテンシャルエネルギー面 ,  密度汎関数法 ,  解離吸着 ,  *フラーレン ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 吸着サイト ,  水素分子 ,  表面吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分子間相互作用  (BH07020P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホウ素 ,  置換 ,  フラーレン ,  系 ,  水素吸蔵 ,  イオン化