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J-GLOBAL ID：202102292036236063   整理番号：21A0875254

Si(111)基板上に成長させたAlN/GaN分布Bragg反射器に基づくGaN系発光ダイオードの光出力増強【JST・京大機械翻訳】

Light Output Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes Based on AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors Grown on Si (111) Substrates

著者 (3件)： Yang Yibin (School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China) ,  Zhang Lingxia (College of Mechanical Engineering and Photoelectric Physics, Huaihua University, Huaihua 418000, China) ,  Zhao Yu (School of Materials and Energy, Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, China)
資料名： Crystals (Web)  (Crystals (Web))
巻： 10  号： 9  ページ： 772  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7169A  ISSN： 2073-4352  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不透明Si基板の吸収により,Si基板上のGaN系発光ダイオード(LED)の発光効率は高くない。そこで,本研究では,有機金属化学蒸着(MOCVD)により成長させたSi(111)基板上のGaN系LEDの光出力を改善するために,AlN/GaN分布Bragg反射器(DBRs)を挿入した。AlN/GaN DBRストップバンドの最高反射率を得るために,成長温度,V/III比および成長圧力を含むAlN/GaN DBRsの成長パラメータを最適化した。結果として,最適9対AlN/GaN DBRsの界面は突然になり,DBR阻止バンドの反射率は85.2%と高く,計算値(92.5%)に近かった。最後に,Si(111)基板上に5対AlN/GaN DBRを有する無亀裂GaN系LEDを成長させた。DBRベースのLEDの光出力は,DBRsのない従来のDBRベースのLEDと比較して,350mAの注入電流で41.8%まで明らかに増強された。これらの結果は,Si基板上に成長した将来の緑色および赤色GaN系LEDの発光効率改善の道を開いた。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  界面 ,  亀裂 ,  最適化 ,  電流 ,  反射率 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD
準シソーラス用語： *分布Bragg反射器 ,  発光効率 ,  シリコンウエハ ,  阻止帯域 ,  *光出力 ,  *シリコン(111) , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 発光ダイオード ,  AlN/GaN DBR ,  成長パラメータ ,  光出力増強

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (32件)：

• Byrne, D.; Natali, F.; Damilano, B.; Dussaigne, A.; Grandjean, N.; Massies, J. Blue Resonant Cavity Light Emitting Diodes with a High-Al-Content GaN/AlGaN Distributed Bragg Reflector. Jpn. J. Appl. Phys. 2003, 42, L1509-L1511.
• Ishikawa, H.; Zhang, B.; Asano, K.; Egawa, T.; Jimbo, T. Characterization of GaInN light-emitting diodes with distributed Bragg reflector grown on Si. J. Cryst. Growth 2004, 272, 322-326.
• Cai, L.-E.; Zhang, B.-P.; Zhang, J.-Y.; Wu, C.-M.; Jiang, F.; Hu, X.-L.; Chen, M.; Wang, Q.-M. Improvement of efficiency droop of GaN-based light-emitting devices by a rear nitride reflector. Phys. E 2010, 43, 289-292.
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• Sari, E.; Nizamoglu, S.; Ozel, T.; Demir, H.V. Blue quantum electroabsorption modulators based on reversed quantum confined Stark effect with blueshift. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 011101.

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  成長 ,  AlN ,  GaN ,  分布Bragg反射器 ,  発光ダイオード ,  光出力 ,  増強