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J-GLOBAL ID：202102293904517114   整理番号：21A2171487

単一源前駆体としてビス(イソブチルジチオホスフィナト)鉛(II)錯体を用いたAACVD技術によるナノ構造硫化鉛堆積とそのインピーダンス研究【JST・京大機械翻訳】

Nanostructured Lead Sulphide Depositions by AACVD Technique Using Bis(Isobutyldithiophosphinato)Lead(II) Complex as Single Source Precursor and Its Impedance Study

著者 (8件)： Iram Sadia (School of Natural Sciences, National University of Sciences and Technology, Islamabad 44000, Pakistan) ,  Iram Sadia (Department of Materials, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK) ,  Mahmood Azhar (School of Natural Sciences, National University of Sciences and Technology, Islamabad 44000, Pakistan) ,  Sitara Effat (School of Natural Sciences, National University of Sciences and Technology, Islamabad 44000, Pakistan) ,  Bukhari Syeda Aqsa Batool (School of Natural Sciences, National University of Sciences and Technology, Islamabad 44000, Pakistan) ,  Fatima Syeda Arooj (Physics Division, Pakistan Institute of Nuclear Science and Technology (Pinstech), P.O. Nilore, Islamabad 45500, Pakistan) ,  Shaheen Rubina (Physics Division, Pakistan Institute of Nuclear Science and Technology (Pinstech), P.O. Nilore, Islamabad 45500, Pakistan) ,  Malik Mohammad Azad (Department of Materials, University of Manchester, Manchester M13 9PL, UK)
資料名： Nanomaterials (Web)  (Nanomaterials (Web))
巻： 10  号： 8  ページ： 1438  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7252A  ISSN： 2079-4991  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： このコミュニケーションは,ビス(ジイソブチルジチオホスフィナト)鉛(II)錯体の合成と,硫化鉛半導体のナノ構造堆積のための単一ソース前駆体としての応用と,エレクトロニクスの分野でのその範囲を探索するためのインピーダンスを報告する。合成した錯体を,マイクロ元素分析,核磁気共鳴分光法,赤外分光法および熱重量分析によって特性化した。この錯体を,ガラス基板上でPbSナノ構造を成長させるために,異なる温度でエアロゾル支援化学蒸着技術を用いて分解した。これらのナノ構造をXRD,SEM,TEMおよびEDX法によって分析した。室温で40~6MHzの周波数範囲でPbSについてインピーダンス分光測定を行った。複素インピーダンス平面プロットでは,結晶粒と結晶粒界の寄与により二つの緩和過程を示した。Kops現象論モデルとMaxwell Wagner型分極に基づいて,低周波数で誘電率の高い値を観測した。周波数依存AC伝導率の結果はJonscherべき乗則と一致し,一方,容量電圧ループは蝶形を有した。これらのインピーダンス分光法の結果は,得られたPbSナノ堆積の強誘電特性を裏付けた。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  *インピーダンス ,  エアロゾル ,  分極 ,  誘電率 ,  *鉛 ,  強誘電性 ,  周波数依存性 ,  結晶粒 ,  電子技術 ,  *前駆体 ,  *硫化鉛 ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： 複素インピーダンス ,  べき乗則 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 鉛カルコゲナイド ,  エアロゾル支援化学蒸着 ,  ナノ構造 ,  インピーダンス分光法

分類 (5件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (34件)：

• Kwon, J.; Kim, S.; Lee, J.; Park, C.; Kim, O.; Xu, B.; Bae, J.; Kang, S. Uncooled Short-Wave Infrared Sensor Based on PbS Quantum Dots Using ZnO NPs. Nanomaterials 2019, 9, 926.
• Halim, M.A. Harnessing sun’s energy with quantum dots based next generation solar cell. Nanomaterials 2013, 3, 22-47.
• Khokhlov, D. Lead Chalcogenides: Physics and Applications; CRC Press: Boca Raton, FL, USA, 2002.
• Kundu, T.; Mukherjee, M.; Chakravorty, D.; Cross, L. Dielectric behavior of nanocomposites of lead sulphide and ferroelectric glass ceramics. J. Appl. Phys. 1998, 83, 4380-4384.
• Afsar, M.; Jamil, A.; Rafiq, M. Ferroelectric, dielectric and electrical behavior of two-dimensional lead sulphide nanosheets. Adv. Nat. Sci. Nanosci. Nanotechnol. 2017, 8, 045010.

タイトルに関連する用語 (9件)： 前駆体 ,  ビス ,  鉛 ,  錯体 ,  ナノ構造 ,  硫化鉛 ,  堆積 ,  インピーダンス ,  研究