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J-GLOBAL ID：202102297510922945   整理番号：21A0518317

高応答性,自己出力光検出器のためのGaAs-WSe_2(1D-2D)vdWsヘテロ接合のゲート調整可能な界面特性【JST・京大機械翻訳】

Gate-tunable the interface properties of GaAs-WSe₂ (1D-2D) vdWs heterojunction for high-responsivity, self-powered photodetector

著者 (10件)： Chen Xue (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) ,  Jiang Bei (School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Wang Dengkui (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China) ,  Li Guoli (Key Laboratory for Micro/Nano-Optoelectronic Devices of Ministry of Education, School of Physics and Electronics, Hunan University, Changsha 410082, China) ,  Wang Hailu (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang Hao (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang Fang (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Wang Peng (State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China) ,  Liao Lei (School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, China) ,  Wei Zhipeng (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 118  号： 4  ページ： 041102-041102-6  発行年： 2021年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己出力光検出器のための統合型混合次元(MD)van der Waals(vdW)ヘテロ接合は,強い注目を集めている。これらの光検出器の性能は半導体-金属界面と半導体-半導体界面を含む界面特性に大きく依存する。今日まで,界面特性をいかにバランスさせるかは調査されていない。ここでは,ゲートバイアスを有する両極性二次元材料のFermi準位を調整することにより,MD-vdWヘテロ接合光検出器の界面特性をバランスさせるための直接的戦略を検討した。異なる金属接触を有するGaAs-WSe_2 MD vdWsヘテロ接合自己出力光検出器によりゲート同調界面特性の有効性を検証した。ゲートバイアスの下では,Au/Cr電極を有するGaAs-WSe_2ヘテロ接合光検出器において,応答性は122.55mA/Wから510.98mA/Wに増強され,最先端のGaAsベースの自己出力光検出器よりも良好である。本研究は,ゲート同調界面特性により高応答性,自己出力ヘテロ接合光検出器を作製する簡単で効果的な方法を提供した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *界面 ,  半導体 ,  *光検出器 ,  *応答特性 ,  金 ,  クロム ,  *ヒ化ガリウム ,  同調 ,  Fermi準位 ,  有効性
準シソーラス用語： 両極性 ,  *界面特性 ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (9件)： 応答性 ,  自己 ,  光検出器 ,  GaAs ,  1D ,  2D ,  ヘテロ接合 ,  ゲート ,  界面特性