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J-GLOBAL ID：202102299476710621   整理番号：21A0446824

プラズマ誘起充電損傷:適切なMOS試験構造からアンテナ設計規則へ,包括的なプロセス認定手順【JST・京大機械翻訳】

Plasma induced charging damage: From appropriate MOS test structures to antenna design rules, a comprehensive process qualification procedure

著者 (1件)： Martin Andreas (Infineon Technologies AG,corporative reliability department,Neubiberg,Germany,85579)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： IIRW  ページ： 1-8  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プロセス認定の一部としてのプラズマ処理誘起損傷の特性化と評価は複雑な作業である。そして,その完全性は,アンテナ設計規則が特性化からの直接の結果であるので,極めて重要である。MOSトランジスタプラズマ充電は種々のMOSトランジスタパラメータを劣化させる。このような劣化は製品の信頼性リスクや収量損失を引き起こす。包括的な認定手順のために,任意の隠れ損傷を明らかにするために信頼性応力を実行しなければならない。アンテナ試験構造からデータ解析まで,意味あるアンテナ設計規則を確立するために,本研究では完全な画像を引き出した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *プラズマ ,  信頼性 ,  MOSFET ,  *充電 ,  データ解析 ,  *アンテナ設計 ,  キャラクタリゼーション ,  完全性 ,  プラズマ処理
準シソーラス用語： アンテナ試験 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (11件)： プラズマ ,  誘起 ,  充電 ,  損傷 ,  MOS ,  試験 ,  アンテナ ,  設計規則 ,  プロセス ,  認定 ,  手順