特許
J-GLOBAL ID：202103000165898533
有機電子デバイスの製造方法、電極付き基板及び有機電子デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 三上 敬史
, 和田 謙一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-240503
公開番号（公開出願番号）：特開2018-098009
特許番号：特許第6875842号
出願日： 2016年12月12日
公開日（公表日）： 2018年06月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 長尺の可撓性樹脂基材上に、少なくとも一つの金属細線が所定パターンで配置された金属細線領域を有する第1電極層を形成する第1電極層形成工程と、
前記第1電極層における少なくとも前記金属細線領域上に、有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
前記有機機能層上に、第2電極層を形成する第2電極層形成工程と、
を備え、
前記可撓性樹脂基材の熱収縮率は、厚さ方向に直交しており且つ互いに直交する2つの方向において異方性を有し、
前記熱収縮率は、前記可撓性樹脂基材の長手方向に直交する方向より前記長手方向の方が大きく、
前記第1電極層形成工程、前記有機機能層形成工程及び前記第2電極層形成工程の少なくとも一つの工程は、
前記可撓性樹脂基材上に被加熱処理層を形成する第1工程と、
前記被加熱処理層を加熱処理する第2工程と、
を有し、
前記第2工程では、前記可撓性樹脂基材の長手方向に対して前記可撓性樹脂基材に張力を付与しながら前記可撓性樹脂基材のガラス転移温度以上で前記被加熱処理層を加熱する、
有機電子デバイスの製造方法。
IPC (4件)：
H05B 33/10 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/02 ( 200 6.01)
, H05B 33/26 ( 200 6.01)
H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H05B 33/02
, H05B 33/26 Z
