特許
J-GLOBAL ID：202103000243898839

半導体装置の製造方法

発明者：
卜 渊

卜 渊 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-231602
公開番号（公開出願番号）：特開2018-088489
特許番号：特許第6857488号
出願日： 2016年11月29日
公開日（公表日）： 2018年06月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)第1導電型のドリフト層と、前記ドリフト層上に形成され、かつ、前記第1導電型とは反対の導電型である第2導電型の半導体層とが形成された炭化珪素基板を用意する工程、 (b)前記半導体層と前記ドリフト層の一部とをエッチングすることにより、前記炭化珪素基板に、前記半導体層を加工して形成された電荷注入領域と、前記電荷注入領域と接する前記ドリフト層の一部とを含むメサ構造を形成する工程、 (c)前記(b)工程の後、前記メサ構造内の上部に前記電荷注入領域と接する前記第2導電型の抵抗低減領域を形成する工程、 (d)前記(b)工程の後、前記メサ構造内の側壁部に前記電荷注入領域と接する前記第2導電型のリーク低減領域を形成する工程、 (e)前記(b)工程の後、前記ドリフト層の表面領域のうち、前記メサ構造の外側の外縁領域に前記第2導電型の電界緩和領域を形成する工程、 を備える、半導体装置の製造方法であって、 前記リーク低減領域の不純物濃度は、前記電界緩和領域の不純物濃度よりも大きく、かつ、前記抵抗低減領域の不純物濃度よりも小さい、半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 29/861 ( 200 6.01) ,  H01L 29/868 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 29/74 ( 200 6.01) ,  H01L 29/744 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01)
FI (12件)：
H01L 29/91 D ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/06 301 D ,  H01L 29/06 301 G ,  H01L 29/06 301 M ,  H01L 29/06 301 V ,  H01L 29/44 Z ,  H01L 29/74 B ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 V ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 F
引用特許：
審査官引用 (4件)
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