特許
J-GLOBAL ID：201203000933121420

高耐圧半導体整流装置

発明者：
釜我 昌武

釜我 昌武 について

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水上 誠

水上 誠 について

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四戸 孝

四戸 孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-052786
公開番号（公開出願番号）：特開2012-190981
出願日： 2011年03月10日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：
【課題】半導体層にpn接合が設けられて成る高耐圧ダイオードの高耐圧化およびプロセス歩留まりの向上を提供する。【解決手段】高耐圧ダイオードは、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成した第1導電型の半導体からなるドリフト層と、前記ドリフト層の上に形成した第2導電型の半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層の上に形成した第2導電型の高濃度半導体領域と、前記半導体基板と前記バッファ層との間に逆電圧を印加したときの半導体装置の端部領域の電界を緩和するために、前記端部領域に形成したメサ終端部と、前記メサ終端部に形成した第2導電型の半導体からなる電界緩和領域を有することを特徴とする。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板と、 前記第1導電型の半導体基板上に形成した第1導電型の半導体からなるドリフト層と、 前記ドリフト層の上に形成した第2導電型の半導体からなるバッファ層と、 前記バッファ層の上部に形成した第2導電型の高濃度半導体領域と、 前記半導体基板と前記バッファ層との間に逆電圧を印加したときの半導体装置の端部領域の電界を緩和するために、前記端部領域に形成したメサ終端部と、 前記メサ終端部に形成した第2導電型の半導体からなる電界緩和領域を有することを特徴とする半導体整流装置。
IPC (3件)：
H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/06
FI (3件)：
H01L29/91 F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/06 301G
引用特許：
審査官引用 (6件)
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