半導体素子および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：松尾憲一郎 , 市川泰央
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-167987
公開番号（公開出願番号）：特開2021-048152
出願日： 2019年09月17日
公開日（公表日）： 2021年03月25日
要約：

【課題】シリコン基板にIII-V族化合物半導体層を成長させて構成される半導体素子の電荷の移動の阻害を防ぐ。【解決手段】半導体素子100は、シリコン基板110と第1の化合物半導体層140と第2の化合物半導体層150と電極121,170とを具備する。電極121は、信号線3を介して制御回路2に接続される。制御回路は電荷の移動の制御を行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記シリコン基板に形成される第1の化合物半導体層と、前記第1の化合物半導体層に積層される第2の化合物半導体層と、前記シリコン基板に配置されて前記第1の化合物半導体層を介した前記シリコン基板および前記第2の化合物半導体層の間の電荷の移動の制御を行う電極とを具備する半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 31/10 , H01L 21/20 , H01L 27/146 , H01L 33/36 , H01L 33/30 , H04N 5/369

FI (7件)：

H01L31/10 A , H01L21/20 , H01L27/146 E , H01L27/146 A , H01L33/36 , H01L33/30 , H04N5/369

Fターム (79件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA05 , 4M118CA14 , 4M118CA22 , 4M118CB01 , 4M118CB13 , 4M118CB14 , 4M118EA01 , 4M118EA14 , 4M118FA06 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118FA38 , 4M118FB23 , 4M118GC08 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 4M118HA33 , 5C024CY47 , 5C024GX05 , 5C024GX06 , 5C024GX07 , 5C024GX16 , 5C024GX18 , 5C024GY31 , 5C024GY39 , 5C024GY41 , 5F152LL05 , 5F152LL09 , 5F152LN03 , 5F152MM08 , 5F152NN03 , 5F152NP05 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06 , 5F241AA21 , 5F241CA03 , 5F241CA12 , 5F241CA22 , 5F241CA33 , 5F241CA34 , 5F241CA37 , 5F241CA38 , 5F241CA88 , 5F241CB36 , 5F849AA02 , 5F849AA03 , 5F849AA04 , 5F849AB07 , 5F849BA01 , 5F849BA04 , 5F849BA17 , 5F849BA30 , 5F849CB01 , 5F849CB04 , 5F849CB07 , 5F849DA28 , 5F849EA04 , 5F849EA05 , 5F849EA13 , 5F849FA04 , 5F849FA05 , 5F849FA12 , 5F849FA15 , 5F849GA04 , 5F849HA05 , 5F849JA12 , 5F849KA04 , 5F849KA11 , 5F849KA14 , 5F849KA20 , 5F849LA02 , 5F849XB01 , 5F849XB04 , 5F849XB18

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