特許

J-GLOBAL ID：202103000710664111

低欠陥化炭素材料の製造方法

発明者： 向井 紳 ,  荻野 勲 ,  岩村 振一郎 ,  皆上 昂ノ介 ,  小野 博信
出願人/特許権者： 国立大学法人北海道大学 ,  株式会社日本触媒
代理人 (1件)： 特許業務法人 安富国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-169768
公開番号（公開出願番号）：特開2021-006497
出願日： 2019年09月18日
公開日（公表日）： 2021年01月21日
要約：

【課題】欠陥が非常に少ないグラフェン系炭素材料を得る方法を提供することを目的とする。【解決手段】ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する炭素材料を流動化しながら、該炭素材料にマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする低欠陥化炭素材料の製造方法である。また、ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する炭素材料を流動化しながら、該炭素材料にマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする炭素材料の改質方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ラマンスペクトルにおいてGバンドのピークを有する炭素材料を流動化しながら、該炭素材料にマイクロ波を照射する工程を含むことを特徴とする低欠陥化炭素材料の製造方法。

IPC (3件)：

C01B 32/00 ,  G01N 21/65 ,  C01B 32/21

FI (3件)：

C01B32/00 ,  G01N21/65 ,  C01B32/21

Fターム (25件)：

2G043AA03 ,  2G043EA03 ,  2G043KA01 ,  2G043NA01 ,  4G146AA01 ,  4G146AA02 ,  4G146AC02A ,  4G146AC02B ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AC22A ,  4G146AD19 ,  4G146AD23 ,  4G146AD35 ,  4G146BA02 ,  4G146BB04 ,  4G146BB12 ,  4G146BC32B ,  4G146CA11 ,  4G146CB01 ,  4G146CB09 ,  4G146CB10 ,  4G146CB13 ,  4G146CB16 ,  4G146CB40

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 流動化方式を用いた炭素ナノ構造体の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-128506   出願人：三星コーニング株式会社
• カーボンナノファイバーの製造方法およびカーボンナノファイバー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-023070   出願人：旭カーボン株式会社, 国立大学法人北海道大学

審査官引用 (2件)

• 流動化方式を用いた炭素ナノ構造体の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-128506   出願人：三星コーニング株式会社
• カーボンナノファイバーの製造方法およびカーボンナノファイバー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-023070   出願人：旭カーボン株式会社, 国立大学法人北海道大学

引用文献：

出願人引用 (1件)

• NATURE CHEMISTRY, 2005, Vol.7, p.730-736

審査官引用 (1件)

• NATURE CHEMISTRY, 2005, Vol.7, p.730-736