特許
J-GLOBAL ID：202103001087433606
III族窒化物半導体装置の製造方法および半導体ウエハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
藤谷 修
, 一色 昭則
, 角谷 智広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-229604
公開番号（公開出願番号）：特開2017-108126
特許番号：特許第6811476号
出願日： 2016年11月25日
公開日（公表日）： 2017年06月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】III 族窒化物半導体装置の製造方法において、
成長基板にIII 族窒化物半導体層を形成する半導体層形成工程を有し、
前記半導体層形成工程は、
III 族金属を含む有機金属ガスを下地層に吸着させる吸着工程と、
少なくとも窒素ガスを含む原料ガスをプラズマ化して前記成長基板に供給するとともにIII 族金属を含む有機金属ガスをプラズマ化しないで前記成長基板に供給して、前記下地層の上にIII 族窒化物半導体層を形成する上層形成工程と、
を有し、
前記吸着工程の後に上層形成工程を実施すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体装置の製造方法。
IPC (8件)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, H01L 29/80 H
, H01L 29/78 301 B
, C23C 16/34
, C30B 29/38 A
