特許
J-GLOBAL ID:202103001654986034

ランダムマイクロニードル

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-199374
公開番号(公開出願番号):特開2018-058743
特許番号:特許第6910047号
出願日: 2016年10月07日
公開日(公表日): 2018年04月12日
請求項(抜粋):
【請求項1】200°C以下のスパッタにより、ダイヤ単結晶上に膜厚0.1〜1.0μmでNi膜を積層し、 次に、Ni膜を加熱して凝集し、配向性を持たない斑状のランダムマイクロパターンを形成し、 次に、ダイヤ単結晶を水素雰囲気下で再度加熱し、Ni膜下のダイヤ単結晶を900°C〜1000°Cで熱加工して、ランダムマイクロニードルを形成し、 ランダムマイクロニードル間に於ける隣接した頂点同士の間隔を40μm以下として粗密を有すると共に、高さ30〜500μm以下でランダムマイクロニードルを形成する、ランダムマイクロニードルの製造方法。
IPC (5件):
C30B 29/04 ( 200 6.01) ,  C23C 16/27 ( 200 6.01) ,  C23C 16/02 ( 200 6.01) ,  C01B 32/26 ( 201 7.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)
FI (5件):
C30B 29/04 Q ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/02 ,  C01B 32/26 ,  H01L 21/205
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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