特許
J-GLOBAL ID：202103002521402680
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-546568
特許番号：特許第6835241号
出願日： 2018年08月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンよりもバンドギャップの広い半導体からなる第1導電型の半導体基板に設けられた、主電流が流れる活性領域と、
前記活性領域の周囲を囲む終端領域と、
前記活性領域において、前記半導体基板の第1主面側の表面層に設けられた第1の第2導電型領域と、
前記活性領域において、前記半導体基板の第1主面側の表面層に、前記第1の第2導電型領域と離して設けられた第2の第2導電型領域と、
前記第1の第2導電型領域をベース領域とする第1絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、
前記第2の第2導電型領域に設けられた、前記第1絶縁ゲート型電界効果トランジスタを保護または制御するための1つ以上の回路部と、
前記半導体基板の第1主面に設けられ、前記第1の第2導電型領域に電気的に接続された、前記第1絶縁ゲート型電界効果トランジスタのソースパッドと、
前記半導体基板の第1主面に、前記終端領域と離して設けられた、前記回路部の1つ以上の電極パッドと、
を備え、
前記ソースパッドは前記活性領域の中央を含むように設けられ、
前記電極パッドのすべては、前記ソースパッドの一方の辺と前記終端領域との間に設けられ、
前記電極パッドのすべてと前記終端領域との間に、前記第1の第2導電型領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 N
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 657 F
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 657 A
, H01L 29/78 652 Q
