特許

J-GLOBAL ID：202103002583682248

熱電変換素子、n型有機半導体材料とその製造方法、およびn型有機半導体材料の安定化剤

発明者： 藤ヶ谷 剛彦 ,  中嶋 直敏
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-094010
公開番号（公開出願番号）：特開2017-204507
特許番号：特許第6846784号
出願日： 2016年05月09日
公開日（公表日）： 2017年11月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記一般式(1)で表される化合物の0.05〜5重量%の溶液にカーボンナノチューブを含浸させることにより、カーボンナノチューブに前記一般式(1)で表される化合物をドープしたn型有機半導体材料を含む熱電変換素子。 (一般式(1)において、R1およびR2は各々独立に置換もしくは無置換のアルキル基を表す。R11は置換基を表し、mは0〜4の整数を表す。Arは置換もしくは無置換のアリール基を表す。)

IPC (9件)：

H01L 35/22 ( 200 6.01) ,  H01L 51/00 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  C01B 32/152 ( 201 7.01) ,  B82Y 30/00 ( 201 1.01) ,  B82Y 40/00 ( 201 1.01) ,  C08G 61/12 ( 200 6.01) ,  H01L 35/24 ( 200 6.01) ,  C07D 235/12 ( 200 6.01)

FI (12件)：

H01L 35/22 ZNM ,  H01L 29/28 100 Z ,  H01L 29/28 220 A ,  H01L 29/28 250 E ,  H01L 29/28 250 G ,  H01L 29/28 250 H ,  C01B 32/152 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00 ,  C08G 61/12 ,  H01L 35/24 ,  C07D 235/12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ナノ材料-ドーパント組成物複合体の製造方法、ナノ材料-ドーパント組成物複合体およびドーパント組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-131907   出願人：国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学

審査官引用 (1件)

• ナノ材料-ドーパント組成物複合体の製造方法、ナノ材料-ドーパント組成物複合体およびドーパント組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-131907   出願人：国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学

引用文献：

出願人引用 (2件)

• Development of n-type cobaltocene-encapsulated carbon nanotubes with remarkable thermoelectric prope
• Mechanistic Study on the Solution-Phase n-Doping of 1,3-Dimethyl-2-aryl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazol

審査官引用 (2件)

• Mechanistic Study on the Solution-Phase n-Doping of 1,3-Dimethyl-2-aryl-2,3-dihydro-1H-benzoimidazol
• Development of n-type cobaltocene-encapsulated carbon nanotubes with remarkable thermoelectric prope